汕头华汕电子器件有限公司
N
P
N
S I L
I C O N
T R
A
N S I S T
O R
HS669A
对应国外型号
2SD669A
█
主要用途
█
外形图及引脚排列
作低频功率放大。
1
―发射极,
E
2
―集电极,
C
3
―基
极,
B
TO-126
█
极限值
(
T
a
=25
℃)
█
电参数
(
T
a
=25
℃)
T
stg
——贮存温度……………………
……………
-
55~150
℃
T
j
——结温……………………………………………
150
℃
P
C
——集电极功率耗散(
T
c
=25
℃)………………………
20W
P
C
——集电极功率耗散(
T
A
=25
℃)…………………………
1W
V
CBO
——集电极—基极电压………………………………
180
V
V
CEO
——集电极—发射极电压…………………
…………
160V
V
EBO
——发射极—基极电压………………………………
5V
I
C
——集电极电流……
…………………………
………
1.5A
参数符号
符
号
说
明
最小值
典型值
最大值
单
位
测
试
条
件
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
H
FE1
H
FE2
V
CE(sat)
V
BE
f
T
Cob
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极击穿电压
集电极—基极截止电流
直流电流增益
集电极—发射极饱和压降
基极—发射极压降
特征频率
输出电容
180
160
5
60
30
140
14
10
200
1
1.5
V
V
V
μ
A
V
V
MHz
pF
I
C
=1mA
,
I
E
=0
I
C
=10mA
,
R
EB
=
∝
I
E
=1mA
,
I
C
=0
V
CB
=160V, I
E
=0
V
CE
=5V, I
C
=150mA
V
CE
=5V, I
C
=500mA
I
C
=500mA, I
B
=50mA
V
CE
=5V, I
C
=150mA
V
CE
=5V, I
C
=150mA
V
CB
=10V, I
E
=0
,
f=1MHz
█分档及其标志
B
C
6
0
—
120
100
—
200
Suppliers Inquiry
Previous
Next
Link
Name *
Reason for Contact
General Inquiry
Place Order
Report Issue
Target Price (Option)
Email Address *
Message *
BOM / Attach Files (Option)
Maximum allowed file size is 10MB