汕头华汕电子器件有限公司
N
P N S I L I C O N T R A N S I S T O R
HS669A 对应国外型号
2SD669A
█ 主要用途 █ 外形图及引脚排列
作低频功率放大。
1―发射极，E
2―集电极，C
3―基 极，B
TO-126
█ 极限值（Ta=25℃）
█ 电参数（Ta=25℃）
Tstg——贮存温度………………………………… -55~150℃
Tj——结温……………………………………………150℃
PC——集电极功率耗散（Tc=25℃）………………………20W
PC——集电极功率耗散（TA=25℃）…………………………1W
VCBO——集电极—基极电压………………………………180
V
VCEO——集电极—发射极电压……………………………160V
VEBO——发射极—基极电压………………………………5V
IC——集电极电流………………………………………1.5A
参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 件
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
HFE1
HFE2
VCE(sat)
VBE
fT
Cob
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极击穿电压
集电极—基极截止电流
直流电流增益
集电极—发射极饱和压降
基极—发射极压降
特征频率
输出电容
180
160
5
60
30
140
14
10
200
1
1.5
V
V
V
μA
V
V
MHz
pF
IC=1mA，IE=0
IC=10mA，REB=∝
IE=1mA，IC=0
VCB=160V, IE=0
VCE=5V, IC=150mA
VCE=5V, IC=500mA
IC=500mA, IB=50mA
VCE=5V, IC=150mA
VCE=5V, IC=150mA
VCB=10V, IE=0，f=1MHz
█分档及其标志
B C
60—120 100—200