9 YJ TO3 TO 220 TO 126 (CB 19) (CB 117) (CB 16) NPN Power transistors Epitaxial Base LF amplifier and switching Tease 25C Transistors de puissance Base pitaxie Amplificatian et commutation BF Type Compl. Case Prot VceEo | 'c hate Ic Veesat {tC / Ip fT TPu75 Boitier | (W) (v) (A) min max (A) | (Vv) (A) (A) {MHz} page *VcER II)" max min cM tye 2N 3713. 2N3789TO3 16060 10 25 5 1 1 5 0.5 # 2N 3715 2N3791 TO3 150 60 10 50 150.4 08 5 0,5 # 2N 3714 2N 3790 TO3 150 80 10 25 76 1 1 5 05 # 2N 3716 2N3792, -TO3 ~=180__80 10 50 150. 1 0,8 5 0,5 # BD 241 BD 242 TO 220 40 45 3 20 1 1,2 3 0,6 3 483 BD 241A BD242A T0220 40 60 3 20 1 1,2 3 0,6 3 483 BD 241B 68D242B TO220 40 80 3 20 1 1,2 3 0,6 3 483 BO241C BD242C T0220 40 100 3 20 1 1,2 3 06 3 483 ESM13 ESM136 T0220 40 50 5 30 80 2 1 2 0,2 3 889 ESM 137 ESM138 TO220 40 70 5 30 80 15004 15 0,15 3 889 SM139 ESM140 70220 40 g0 5 30 80 1 1 1 0,1 3 889 BD 301 BD 302 T0220 55 45 8 30 3 1 3 0,3 3 491 BD301A BD302A T0220 55 80 8 30 3 1 3 0,3 3 491 803018 803028 T0220 55 100.8 30 3 1 3 0,3 3 421 BD 303 BD 304 T0220 55 60 8 30 2 1 3 0,3 3 491 BD 303A BD304A T0220 55 80 8 30 2 1 3 0,3 3 491 BD303B 68D304B TO220 55 100 8 30 2 1 3 0,3 3 491 NPN Power transistors Epitaxial Planar LF amplifier and switching Tease 25 oC ee Transistors de puissance NPN Planar pitaxi Amplification et commutation BF 2N 2196 F 838 15 60 1 30 90 02 2 6,2 0,04 245 2N 2197 F 83 15 601 75 200 0,2 2 0,2 0,01 245 NT2 F 88 15 "60 2 25 2 15 2 0,2 431 7272 F 88 15 60 2 40 2 1,5 2 0,2 431 R372 F 88 15 60 1 10 1 1 1 0,1 433 Wat2 F838 15 *60 1 200 ts