SFH 9330
Gabellichtschranke mit Fotodarlington Transistor
Slotted Interrupter with Photodarlington Transistor
2000-09-20 1
Wesentliche Merkmale
• Kompaktes Gehäuse
• GaAs-IR-Sendediode
• Si-Foto Darlington-Transistor mit
Tageslichtsperrfilter
• Hoher Koppelfaktor
Anwendungen
• Geschwindigkeitsüberwachung
• Motorsteuerung
• Überwachung des Papiervorschubs in
Druckern, Kopier- und Faxgeräten
• Speicherlaufwerke
• Steuerung des Druckkopfes in Druckern
• Münzdetektion
• Optoelektronische Schalter
• Zähler
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code Gehäuse
Package
SFH 9330 Q62702-P5263 Schwarzes Polykarbonat Plastikgehäuse, Anschlüsse im 2.54-mm
Raster, Senderseite durch Buchstaben „E“, Empfängerseite durch
Buchstaben „S“ gekennzeichnet, Kathode/Transistoremitter durch
schräge Kante gekennzeichnet.
Black polycarbonate plastic material housing, solder tabs 2.54-mm
(1/10”) spacing, emitter side marked with letter “E”, sensor side mar-
ked with letter “S”, cathode/emitter of transistor marked with edge at
an angle.
Features
• Compact type
• GaAs infrared emitter
• Siliconphotodarlington-transistordetectorwith
daylight-cutoff filter
• High coupling factor
Applications
• Speed control
• Motor control
• Monitoring of paper feed in printers, copiers,
facsimiles
• Disk drives
• Control of print head in printers
• Coin detection
• Optoelectronic switches
• Counter
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SFH 9330
Grenzwerte TA = 25 °C
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Sender (GaAs-Diode)
Emitter (GaAs Diode)
Sperrspannung
Reverse voltage VR5V
Durchlaßstrom
Forward current IF (DC) 60 mA
Verlustleistung
Power dissipation Ptot 100 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance RthJA 280 K/W
Empfänger (Si-Fototransistor)
Detector (Silicon Phototransistor)
Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-emitter voltage VCE 75 V
Kollektor-Emitter-Spannung, (t≤2 min)
Collector-emitter voltage, (t≤2 min) VCE 30
Emitter-Kollektor-Spannung
Emitter-collector voltage VEC 7
Kollektorstrom
Collector current IC100 mA
Verlustleistung
Total power dissipation Ptot 150 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance RthJA 280 K/W
Gabellichtschranke
Slotted Interrupter
Lagertemperatur
Storage temperature range Tstg – 40 … + 85 °C
Betriebstemperatur
Operating temperature range Top – 40 … + 85
Elektrostatische Entladung
Electrostatic discharge ESD 2 kV
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Kennwerte TA = 25 °C
Characteristics
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Sender (GaAs-Diode)
Emitter (GaAs Diode)
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength of peak emission λpeak 950 nm
Durchlaβspannung, IF = 20 mA, tp= 20 ms
Forward voltage VF1.2 (≤1.4) V
Sperrstrom, VR = 5 V
Reverse current IR0.01 (≤1) µA
Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz
Capacitance C016 pF
Empfänger (Si-Fototransistor)
Detector (Silicon Phototransistor)
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity λS max 900 nm
Spektr. Bereich der Fotoempfindlichkeit
Spectral range of sensitivity
S = 10% of Smax
λ840 … 1060 nm
Kapazität, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance CCE 14 pF
Dunkelstrom, VCE = 20 V
Dark current ICEO 1(≤ 50) nA
Gabellichtschranke
Slotted Interrupter
Kollektor-Emitterstrom
Collector-emitter current
IF = 1 mA
IF = 10 mA ICE min
ICE min
> 1
> 20 mA
mA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter-saturation voltage
IF = 1 mA; IC = 0.3 mA
VCE sat ≤0.9 V
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Forward Current IF = f (VF)
Single pulse, tp = 20 µs
V
OHF00367
F
10
-2
0
Ι
F
12340.5 1.5 2.5 V
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
mA
Max. Permissible Forward Current
IF = f (TA)
T
OHF00372
A
00
Ι
F
20 40 60 80 120
10
20
30
40
50
60
70
mA
90
C
R
thJA
= 280 K/W
Total Power Dissipation for
Emitter and Detector Ptot = f (TA)
T
OHF00410
A
tot
P
002040
60 80 100˚C
20
40
60
80
100
120
140
160 Detector
Emitter
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Maßzeichnung
Package Outlines
Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch).
3.38 (0.133)
2.98 (0.117)
12.52 (0.493)
12.12 (0.477)
11.0 (0.433)
10.6 (0.417)
optical axis
8.2 (0.323)
8.0 (0.315)
6.68 (0.263)
6.28 (0.247)
2.54 (0.100)
9.0 (0.354)
0.25 (0.010)
Emitter Sensor
GPXY6052
2.74 (0.108)
2.34 (0.092)
8.0 (0.315)
5.0 (0.197)
0.6 (0.024)
0.4 (0.016)
0.3 (0.012)
0.5 (0.020)
8.2 (0.323)
0.25 (0.010)
1.27 (0.050)
1
Circuitry
4
32
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SFH 9330
Löthinweise
Soldering Conditions
Bauform
Type Tauch-, Schwalllötung
Dip, Wave Soldering Reflowlötung
Reflow Soldering Kolbenlötung
Iron Soldering
Peak Temp.
(solderbath) Max. Time in
Peak Zone Peak Temp.
(package
temp.)
Max. Time in
Peak Zone (Iron temp.)
SFH 9330 260 °C 10 s n. a. – 300 °C <5s
