MPSA05 ... MPSA06
MPSA05 ... MPSA06
NPN General Purpose Si-Epitaxial PlanarTr ansistors
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz NPN
Version 2006-07-25
Dimensions - Maße [mm]
Power dissipation
Verlustleistung
625 mW
Plastic case
Kunststoffgehäuse
TO-92
(10D3)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C)
MPSA05 MPSA06
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 60 V 80 V
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO 60 V 80 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 4 V
Power dissipation – Verlustleistung Ptot 625 mW 1)
Collector current – Kollektorstrom (dc) IC500 mA
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom ICM 1 A
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Charact eris tics (T j = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
Min. Typ. Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 2)
IC = 10 mA, VCE = 1 V
IC = 100 mA, VCE = 1 V
hFE
hFE
100
100
–
–
–
–
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. 2)
IC = 100 mA, IB = 10 mA VCEsat ––0.25 V
Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung 2)
IC = 100 mA, VCE = 1 V VBE – – 1.2 V
Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom
VCB = 60 V, (E open)
VCB = 80 V, (E open)
MPSA05
MPSA06
ICBO
ICBO
–
–
–
–
100 nA
100 nA
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
16
18
9
2 x 2.54
EBC
MPSA05 ... MPSA06
Charact eris tics (T j = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
Min. Typ. Max.
Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom
VEB = 4 V, (C open) IEB0 – – 100 nA
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
IC = 10 mA, VCE = 2 V, f = 100 MHz fT100 MHz – –
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 200 K/W 1)
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren MPSA55, MPSA56
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
1
