NPN SILICON TRANSISTOR, EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR NPN SILICIUM, PLANAR EPITAXIAL 2N 3053 General purpose : medium power amplification, commutation Usage gnral : amplificateur moyenne puissance, commutation. VcEO Ic Prot 40 Vv 0,7 A 5W Ren(j-c) 35C/W max. h21(0,15A)20 - 250 fy 100 MHz min. Maximum power dissipation Case TO-39 See outline drawing CB-7 on last pages Dissipation de puissance maximale Bojtier Voir dessin cot CB-7 dernires pages 100 % 78 NY , eC 3: iN 8 5 Bottom view Vue de dessous 25 nN 9 - Weight : 1,1 9. Collector is connected to case 50 100 150 T rage (C) Masse Le collecteur est reli su boftier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) + = +25C (Uniess otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION case (Sauf indications contraires) Collector-base volta Tension coleteurbese Veso 60 v Collector-emitter voltage Vv, Tension collecteur-metteur ceo 40 Vv Collector-emitter voltage Tension collecteur-metteur Ree = 10 2 VcER 50 Vv Collector-emitter voltage Vv Tension collecteur-metteur VBE = 15 V cEX 60 Vv Emitter-base volta Tension cmetteur-bas VeBo 5 Vv Collector current Courant collecteur Ic 0,7 A Power dissipation Tamb = 25C p 1 w Dissipation de puissance T = 25C tot 5 case Junction temperature Temprature de jonction max. Tj 200 C Storage temperature min, T 65 C Temprature de stockage max. stg +200 C 76-06 1/6 THoMson-ose 2412N 3053 STATIC CHARACTERISTICS Tenen = 25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES STATIQUES case (Sauf indications contraires} Test conditions i Conditions de mesure Min. Typ. Max. Vag =30V Collector-base cut-off current cB 1 Courant rsidue! collecteur-bese ip =0 cBO 0,25 HA Emitter-base cut-off current Veg =4V Courant rsiduel mettaur-base In =0 'eso 0,25 HA . ' = 100 mA Collector-emitter voltage c Vv Tension collecteur-metteur Ip =O CEO(sus) 40 v Collector-emitter voltage ( = 100 mA Vv Tension collecteur-metteur og =102 CER(sus) 50 Vv * Collector-base breakdown voltage Ig =0,1 mA Vv Tension de claquage collecteur-base le =0 (BRICBO 60 V . I =0,1 mA * Emitter-base breakdown voltage E Vv Vv Tension de claquage metteur-base \o =0 (BR)EBO 5 Static forward current transfer ratio Vce =10V * Valeur statique du rapport de transfert I =0,15A hoy E 50 250 direct du courant c "-" . . i] =0,15A * Collector-emitter saturation voltage c Vv, 1,4 Tension de saturation collecteur-metteur Ip =0,015A CEsat Vv Base-emitter saturation voltage lo =0,15A Vv * Tension de saturation base-rmetteur Ig =0,015A BEsat Ww Vv DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) Transition frequency Voz =10V f ransition Frquence de transition In =0,05A T 100 MHz f = 100 MHz Output capacitance Vog =10V c Capecit de sortie 6 a MHz 22b 15 pF Input capacitance Veg = 0,5V Capacit dentre f EB = 1MHy Ci 80 pF * Pulsed =300ps 6<2% imputsions ty 2/6 2422N 3053 THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES (Unless otherwise stated) {Sauf indications contraires) Test conditions Conditions de mesure Junction-case thermal resistance Rsistance thermique (jonction-boitier} Junction-ambient thermal resistance Rsistance thermique (jonction-embiante} Min. Typ. Max. Rehtj-c) 35 c Renij-a) 175 chw 1, (A) 0,5 0,2 0,1 0,05 0,02} Tease = 25C Continuous Continu Pulsed En impulsions 0,01 SAFE OPERATING AREA Aire de fonctionnement de scurit 20 50 Voge (VI 3/6 2432N 3053 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES (A) 0,4 0,3 0,2 0,1 0 2 4 6 8B V_em v wh "21e 52 240 48 180 44 120 40 60 36 0 z 468 2 468 2 46 2 68 2 468 2 466 10! 10? 103 Rag (0) 10 10! 10? 1 (ma) c 4/6 2442N 3053 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES 10! 8 10 04 O86 08 1 ea) 0 02 04 06 O08 Vz) 22b (pF) 2 4 68 Wp) 2) 4 BY (Vv) 10 5/6 2452N 3053 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES aoe age 0,8 0,8 0,6 0,6 0,4 0,4 0,2 0,2 109 7 * S4o1 7 4 85 q2 ? Te ima) 10 7 6/6 246