TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP50R06W2E3 EasyPIMTMModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC EasyPIMTMmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC VorlaufigeDaten/PreliminaryData VCES = 600V IC nom = 50A / ICRM = 100A TypischeAnwendungen * Hilfsumrichter * Klimaanlagen * Motorantriebe TypicalApplications * AuxiliaryInverters * AirConditioning * MotorDrives ElektrischeEigenschaften * NiedrigeSchaltverluste * TrenchIGBT3 * VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten * NiedrigesVCEsat ElectricalFeatures * LowSwitchingLosses * TrenchIGBT3 * VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient * LowVCEsat MechanischeEigenschaften * Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen Widerstand * KompaktesDesign * Lotverbindungstechnik * Robuste Montage durch integrierte Befestigungsklammern MechanicalFeatures * Al2O3SubstratewithLowThermalResistance * Compactdesign * SolderContactTechnology * Rugged mounting due to integrated mounting clamps ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:DK dateofpublication:2013-11-04 approvedby:MB revision:2.2 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP50R06W2E3 VorlaufigeDaten PreliminaryData IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25C VCES 600 V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 75C, Tvj max = 175C TC = 25C, Tvj max = 175C IC nom IC 50 65 PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 100 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25C, Tvj max = 175C Ptot 175 W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sattigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 50 A, VGE = 15 V IC = 50 A, VGE = 15 V IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25C Gateladung Gatecharge VCE sat A A typ. max. 1,45 1,60 1,70 1,90 V V V VGEth 4,9 5,8 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG 0,50 C InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25C RGint 0,0 Eingangskapazitat Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 3,10 nF Ruckwirkungskapazitat Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,095 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25C IGES 400 nA td on 0,025 0,025 0,025 s s s tr 0,015 0,018 0,02 s s s td off 0,19 0,21 0,215 s s s tf 0,10 0,135 0,14 s s s Einschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 300 V VGE = 15 V RGon = 8,2 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 300 V VGE = 15 V RGon = 8,2 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Abschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 300 V VGE = 15 V RGoff = 8,2 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 300 V VGE = 15 V RGoff = 8,2 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 50 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH Tvj = 25C VGE = 15 V, di/dt = 2800 A/s (Tvj = 150C) Tvj = 125C RGon = 8,2 Tvj = 150C Eon 0,55 0,75 0,85 mJ mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 50 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH Tvj = 25C VGE = 15 V, du/dt = 4300 V/s (Tvj = 150C) Tvj = 125C RGoff = 8,2 Tvj = 150C Eoff 1,20 1,50 1,60 mJ mJ mJ Kurzschluverhalten SCdata VGE 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE *di/dt ISC 350 250 A A Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 0,75 0,85 K/W Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH 0,70 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:DK dateofpublication:2013-11-04 approvedby:MB revision:2.2 2 tP 8 s, Tvj = 25C tP 6 s, Tvj = 150C 150 C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP50R06W2E3 VorlaufigeDaten PreliminaryData Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral It-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150C VRRM 600 V IF 50 A IFRM 100 A It 370 330 CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,55 1,50 1,45 1,95 As As Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 50 A, VGE = 0 V IF = 50 A, VGE = 0 V IF = 50 A, VGE = 0 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C VF Ruckstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 50 A, - diF/dt = 2800 A/s (Tvj=150C) VR = 300 V VGE = -15 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C IRM 78,0 82,0 84,0 A A A Sperrverzogerungsladung Recoveredcharge IF = 50 A, - diF/dt = 2800 A/s (Tvj=150C) VR = 300 V VGE = -15 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Qr 2,25 4,00 4,40 C C C AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 50 A, - diF/dt = 2800 A/s (Tvj=150C) VR = 300 V VGE = -15 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Erec 0,58 1,00 1,10 mJ mJ mJ RthJC 1,10 1,20 K/W Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH 0,90 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode V V V 150 C Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage VRRM 1600 V DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip TC = 100C MaximumRMSforwardcurrentperchip IFRMSM 60 A GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput TC = 100C IRMSM 60 A StostromGrenzwert Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25C tp = 10 ms, Tvj = 150C IFSM 450 370 A A Grenzlastintegral It-value tp = 10 ms, Tvj = 25C tp = 10 ms, Tvj = 150C It 1000 685 As As Tvj = 25C CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. VF 1,05 V IR 1,00 mA RthJC 1,05 1,15 K/W Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH 0,95 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op preparedby:DK dateofpublication:2013-11-04 approvedby:MB revision:2.2 Durchlassspannung Forwardvoltage Tvj = 150C, IF = 50 A Sperrstrom Reversecurrent Tvj = 150C, VR = 1600 V Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode 3 C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP50R06W2E3 VorlaufigeDaten PreliminaryData IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25C VCES 600 V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 75C, Tvj max = 175C TC = 25C, Tvj max = 175C IC nom IC 50 65 PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 100 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25C, Tvj max = 175C Ptot 175 W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sattigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 50 A, VGE = 15 V IC = 50 A, VGE = 15 V IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25C Gateladung Gatecharge VCE sat A A typ. max. 1,45 1,60 1,70 1,90 V V V VGEth 4,9 5,8 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG 0,50 C InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25C RGint 0,0 Eingangskapazitat Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 3,10 nF Ruckwirkungskapazitat Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,095 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25C IGES 400 nA td on 0,045 0,045 0,045 s s s tr 0,03 0,035 0,04 s s s td off 0,31 0,32 0,33 s s s tf 0,13 0,135 0,14 s s s Einschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 300 V VGE = 15 V RGon = 18 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 300 V VGE = 15 V RGon = 18 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Abschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 300 V VGE = 15 V RGoff = 18 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 300 V VGE = 15 V RGoff = 18 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 50 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH VGE = 15 V RGon = 18 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Eon 1,50 2,00 2,10 mJ mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 50 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH VGE = 15 V RGoff = 18 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Eoff 1,20 1,50 1,60 mJ mJ mJ Kurzschluverhalten SCdata VGE 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE *di/dt tP 8 s, Tvj = 25C tP 6 s, Tvj = 150C ISC 350 250 A A Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 0,75 0,85 K/W Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH 0,70 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:DK dateofpublication:2013-11-04 approvedby:MB revision:2.2 4 150 C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP50R06W2E3 VorlaufigeDaten PreliminaryData Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral It-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150C VRRM 600 V IF 15 A IFRM 30 A It 22,5 20,5 CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,60 1,55 1,50 2,00 As As Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 15 A, VGE = 0 V IF = 15 A, VGE = 0 V IF = 15 A, VGE = 0 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C VF Ruckstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 15 A, - diF/dt = 1600 A/s (Tvj=150C) VR = 300 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C IRM 23,0 25,0 26,0 A A A Sperrverzogerungsladung Recoveredcharge IF = 15 A, - diF/dt = 1600 A/s (Tvj=150C) VR = 300 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Qr 0,80 1,40 1,70 C C C AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 15 A, - diF/dt = 1600 A/s (Tvj=150C) VR = 300 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Erec 0,16 0,28 0,37 mJ mJ mJ Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 2,25 2,50 K/W Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH 1,40 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 min. typ. max. R25 5,00 k R/R -5 5 % P25 20,0 mW V V V C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Nennwiderstand Ratedresistance TC = 25C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TC = 100C, R100 = 493 Verlustleistung Powerdissipation TC = 25C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K AngabengemagultigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. preparedby:DK dateofpublication:2013-11-04 approvedby:MB revision:2.2 5 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP50R06W2E3 VorlaufigeDaten PreliminaryData Modul/Module Isolations-Prufspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3 Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 11,5 6,3 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0 5,0 mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI > 200 VISOL kV 2,5 min. typ. max. LsCE 30 nH RCC'+EE' RAA'+CC' 5,00 6,00 m Tstg -40 125 C Anpresskraft fur mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 40 - 80 N Gewicht Weight G 39 g Modulstreuinduktivitat Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlusseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 30A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 30A rms per connector pin. preparedby:DK dateofpublication:2013-11-04 approvedby:MB revision:2.2 6 TechnischeInformation/TechnicalInformation FP50R06W2E3 IGBT-Module IGBT-modules VorlaufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150C 100 100 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C 80 80 70 70 60 60 50 50 40 40 30 30 20 20 10 10 0 0,0 0,5 1,0 VGE = 19 V VGE = 17 V VGE = 15 V VGE = 13 V VGE = 11 V VGE = 9 V 90 IC [A] IC [A] 90 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 0 3,0 UbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 80 90 100 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=15V,RGon=8.2,RGoff=8.2,VCE=300V 100 4,0 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C 90 Eon, Tvj = 125C Eoff, Tvj = 125C Eon, Tvj = 150C Eoff, Tvj = 150C 3,5 80 3,0 70 2,5 E [mJ] IC [A] 60 50 40 2,0 1,5 30 1,0 20 0,5 10 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 0,0 12 preparedby:DK dateofpublication:2013-11-04 approvedby:MB revision:2.2 7 0 10 20 30 40 50 60 IC [A] 70 TechnischeInformation/TechnicalInformation FP50R06W2E3 IGBT-Module IGBT-modules VorlaufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=15V,IC=50A,VCE=300V TransienterWarmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJH=f(t) 7,0 10 Eon, Tvj = 125C Eoff, Tvj = 125C Eon, Tvj = 150C Eoff, Tvj = 150C 6,0 ZthJH : IGBT 5,0 E [mJ] ZthJH [K/W] 4,0 3,0 1 2,0 1,0 0,0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,084 0,195 0,587 0,585 i[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0 10 20 30 40 50 RG [] 60 70 80 0,1 0,001 90 SichererRuckwarts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=15V,RGoff=8.2,Tvj=150C 110 IC, Modul IC, Chip 100 1 10 100 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C 90 80 80 70 70 60 60 IF [A] IC [A] 0,1 t [s] DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 90 50 50 40 40 30 30 20 20 10 10 0 0,01 0 100 200 300 400 VCE [V] 500 600 0 700 preparedby:DK dateofpublication:2013-11-04 approvedby:MB revision:2.2 8 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 VF [V] 1,4 1,6 1,8 2,0 TechnischeInformation/TechnicalInformation FP50R06W2E3 IGBT-Module IGBT-modules VorlaufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=8.2,VCE=300V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=50A,VCE=300V 2,0 1,4 Erec, Tvj = 125C Erec, Tvj = 150C 1,8 Erec, Tvj = 125C Erec, Tvj = 150C 1,2 1,6 1,0 1,4 0,8 E [mJ] E [mJ] 1,2 1,0 0,6 0,8 0,6 0,4 0,4 0,2 0,2 0,0 0 10 20 30 40 50 60 IF [A] 70 80 90 0,0 100 TransienterWarmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJH=f(t) 0 10 20 30 40 50 RG [] 60 70 80 90 1,4 1,6 DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical) IF=f(VF) 10 100 ZthJH : Diode Tvj = 25C Tvj = 150C 90 80 70 IF [A] ZthJH [K/W] 60 1 50 40 30 20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,166 0,359 0,821 0,654 i[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 0 10 preparedby:DK dateofpublication:2013-11-04 approvedby:MB revision:2.2 9 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 VF [V] 1,0 1,2 TechnischeInformation/TechnicalInformation FP50R06W2E3 IGBT-Module IGBT-modules VorlaufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) VGE=15V DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical) IF=f(VF) 100 30 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C 80 24 70 21 60 18 50 15 40 12 30 9 20 6 10 3 0 0,0 0,5 1,0 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 0 3,0 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[] 10000 1000 100 0 20 40 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C 27 IF [A] IC [A] 90 60 80 100 TC [C] 120 140 160 preparedby:DK dateofpublication:2013-11-04 approvedby:MB revision:2.2 10 0,0 0,3 0,6 0,9 1,2 VF [V] 1,5 1,8 2,1 2,4 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP50R06W2E3 VorlaufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/circuit_diagram_headline J Gehauseabmessungen/packageoutlines In fin e o n preparedby:DK dateofpublication:2013-11-04 approvedby:MB revision:2.2 11 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP50R06W2E3 VorlaufigeDaten PreliminaryData Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschlielichfurtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfurIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollstandigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfurdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,furdiewireineliefervertraglicheGewahrleistungubernehmen.Eine solcheGewahrleistungrichtetsichausschlielichnachMagabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfurdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsubernommen.DieAngabenindengultigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenotigen,dieuberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfurSiezustandigenVertriebsburoin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FurInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkonnteunserProduktgesundheitsgefahrdendeSubstanzenenthalten.BeiRuckfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfurSiezustandigenVertriebsburoinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefahrdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfurdieseFalle -diegemeinsameDurchfuhrungeinesRisiko-undQualitatsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitatssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinfuhrungvonManahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherManahmenabhangigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheAnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:DK dateofpublication:2013-11-04 approvedby:MB revision:2.2 12