Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 300 GA 170 DLC
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage VCES 1700 V
Kollektor-Dauergleichstrom TC = 80 °C IC,nom. 300 A
DC-collector current TC = 25 °C IC 600 A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collctor current tP = 1 ms, TC=80°C ICRM 600 A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation TC=25°C, Transistor Ptot 2500 W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage VGES +/- 20V V
Dauergleichstrom
DC forward current IF 300 A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current tp = 1 ms IFRM 600 A
Grenzlastintegral der Diode
I2t - value, Diode VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C I2t 18.000 A2s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 3,4 kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung IC = 300A, VGE = 15V, Tvj = 25°C VCE sat - 2,6 3,2 V
collector-emitter saturation voltage IC = 300A, VGE = 15V, Tvj = 125°C - 3,1 3,6 V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage IC = 14mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) 4,5 5,5 6,5 V
Gateladung
gate charge VGE = -15V ... +15V QG - 3,6 - µC
Eingangskapazität
input capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cies -20-nF
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cres - 1,0 - nF
Kollektor-Emitter Reststrom VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 25°C ICES - 0,1 0,6 mA
collector-emitter cut-off current VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 125°C -8 mA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C IGES - - 200 nA
prepared by: Regine Mallwitz date of publication: 28.11.2000
approved by: Christoph Lübke; 28.11.2000 revision: 2 (Series)
1(8) BSM300GA170DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 300 GA 170 DLC
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor min. typ. max.
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) IC = 300A, VCE = 900V
turn on delay time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 5Ω, Tvj = 25°C td,on - 0,1 - µs
VGE = ±15V, RG = 5Ω, Tvj = 125°C - 0,1 - µs
Anstiegszeit (induktive Last) IC = 300A, VCE = 900V
rise time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 5Ω, Tvj = 25°C tr- 0,1 - µs
VGE = ±15V, RG = 5Ω, Tvj = 125°C - 0,1 - µs
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) IC = 300A, VCE = 900V
turn off delay time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 5Ω, Tvj = 25°C td,off - 0,8 - µs
VGE = ±15V, RG = 5Ω, Tvj = 125°C - 0,9 - µs
Fallzeit (induktive Last) IC = 300A, VCE = 900V
fall time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 5Ω, Tvj = 25°C tf- 0,03 - µs
VGE = ±15V, RG = 5Ω, Tvj = 125°C - 0,03 - µs
Einschaltverlustenergie pro Puls IC = 300A, VCE = 900V, VGE = 15V
turn-on energy loss per pulse RG = 5Ω, Tvj = 125°C, LS = 60nH Eon - 130 - mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls IC = 300A, VCE = 900V, VGE = 15V
turn-off energy loss per pulse RG = 5Ω, Tvj = 125°C, LS = 60nH Eoff - 95 - mWs
Kurzschlußverhalten tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V, RG = 5Ω
SC Data TVj≤125°C, VCC=1000V, VCEmax=VCES -LsCE ·dI/dt ISC - 1200 - A
Modulinduktivität
stray inductance module LsCE - 15 - nH
Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
module lead resistance, terminals - chip pro Zweig / per arm RCC’+EE’ - 0,5 - mΩ
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode min. typ. max.
Durchlaßspannung IF = 300A, VGE = 0V, Tvj = 25°C VF- 2,1 2,5 V
forward voltage IF = 300A, VGE = 0V, Tvj = 125°C - 2,1 2,5 V
Rückstromspitze IF = 300A, - diF/dt = 3400A/µsec
peak reverse recovery current VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C IRM - 230 - A
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C - 360 - A
Sperrverzögerungsladung IF = 300A, - diF/dt = 3400A/µsec
recovered charge VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C Qr- 75 - µAs
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C - 120 - µAs
Abschaltenergie pro Puls IF = 300A, - diF/dt = 3400A/µsec
reverse recovery energy VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C Erec - 35 - mWs
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C - 65 - mWs
2(8) BSM300GA170DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 300 GA 170 DLC
Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. max.
Innerer Wärmewiderstand Transistor / transistor, DC RthJC - - 0,05 K/W
thermal resistance, junction to case Diode/Diode, DC - - 0,12 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per Module
dPaste ≤ 50µm / dgrease ≤ 50µm RthCK - - 0,012 K/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature Tvj - - 150 °C
Betriebstemperatur
operation temperature Top -40 - 125 °C
Lagertemperatur
storage temperature Tstg -40 - 125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation Al2O3
Kriechstrecke
creepage distance 20 mm
Luftstrecke
clearance 11 mm
CTI
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung max. 5 Nm
mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminals M4 max. 2
terminal connection torque terminals M6 max. 5 Nm
Gewicht
weight G 420 g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
3(8) BSM300GA170DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 300 GA 170 DLC
IC [A]
VCE [V]
IC [A]
VCE [V]
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
Tj = 25°C
Tj = 125°C
Ausgangskennlinie (typisch) IC = f (VCE)
Output characteristic (typical) VGE = 15V
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VGE = 19V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
Ausgangskennlinienfeld (typisch) IC = f (VCE)
Output characteristic (typical) Tvj = 125°C
4(8) BSM300GA170DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 300 GA 170 DLC
IC [A]
VGE [V]
IF [A]
VF [V]
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
5 6 7 8 9 10 11 12 13
Tj = 25°C
Tj = 125°C
Übertragungscharakteristik (typisch) IC = f (VGE)
Transfer characteristic (typical) VCE = 20V
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
Tj = 25°C
Tj = 125°C
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) IF = f (VF)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
5(8) BSM300GA170DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 300 GA 170 DLC
E [m J]
IC [A]
E [m J]
RG [Ω]
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 600 650
Eoff
Eon
Erec
Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC)
Switching losses (typical) Rgon = Rgoff = 5Ω, VCE = 900V, Tj = 125°C
0
50
100
150
200
250
300
0 5 10 15 20 25
Eoff
Eon
Erec
Schaltverluste (typisch) Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)
Switchin
g
losses
(
t
yp
ical
)
IC = 300A , VCE = 900V , T
j
= 125°C
6(8) BSM300GA170DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 300 GA 170 DLC
t [sec]
i 1234
ri [K/kW] : IGBT 5,58 16,14 24,05 4,23
τi [sec] : IGBT 0,0047 0,0356 0,0613 0,4669
ri [K/kW] : Diode 22,34 44,26 44,26 9,16
τi [sec] : Diode 0,0062 0,0473 0,0473 0,2322
IC [A]
VCE [V]
ZthJC [K / W]
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA) Rg = 5 Ohm, Tvj= 125°C
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
IC,Modul
IC,Chip
Transienter Wärmewiderstand ZthJC = f (t)
Transient thermal impedance
0,001
0,01
0,1
1
0,001 0,01 0,1 1 10 100
Zth:Diode
Zth:IGBT
7(8) BSM300GA170DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 300 GA 170 DLC
8(8) BSM300GA170DLC
