PNP SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL BASE * 2 N 3740 I PNP SI E EPI, RS LICIUM, BASE EPITAXIEE * 2 N 3741 K Preferred device Dispositif reeammand - LF large signal power amplification Amplification BF grands signaux de puissance Ve EO { a v 2 aa - Medium current switching Commutation courant moyen Ic -4A Prot 25 W Reh (i-c) 7C/wW max. h21E (0,254) 30 - 100 fr 4 MHz min, Dissipation and Ig/p derating Case TO-66 ~ See outline drawing CB-72 on last pages Variation de dissipation et de 57g Boitier Voir dessin cot CB-72 dernires pages 100 % Bottom view Vue de dessous LLB SS E ~e ! ay 60 y % | \ O . O 30% 25 N B Weight : 6,49. Collector is connected to case 50 100 160 th (C) Masse Le collecteur est reli au boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) t = 25C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION case ~ (Sauf indications contraires) 2N 3740 2N 3741 Collector-base voltage Tension coltecteur-base Veso 60 80 Vv Collector-emitter voltage Tension collectour-metteur VcEo -60 -80 Vv Emitter-base voltage Tension metteur-base Veso 7 ~7 Vv Collector current l Courant collecteur c -4 -4 A Peak collector current _ ! Courant de crte de collecteur % = 5 ms cM 7 -7 A Base current 1 Courant base B -2 2 A Power dissipation _- 95 P Dissipation de puissance tease = 25C tot 25 25 Ww Junction temperature t Temprature de jonction max J 200 200 c Storage temperature min tet 65 65 C Temprature de stockage max stg +200 +200 c 73-12 1/6 THOMSON - CSF amon neon reve osc, 336*2N 3740, *2N 3741 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES tease = 25C (Uniess otherwise stated) (Sauf indications cantraires} Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Vv CE = 40 V \ 0 2N 3740 ~1 mA Coltector-emitter cut-off current B = ! Courant rsiduel collecteur-6metteur Val =60V CEO | cE 0 2N 3741 -1 mA B = Veg =-60V cE -0,1 mA Vee =-15V Voge = 60V 2N 3740 Vee =i5V mA t = 150C Collector-emitter cut-off current case lcex Courant rsiduel collecteur-metteur VoE =-80V . -0,1 mA Vege =tSV VoE =-90V 2N 3741 Vee = -15V -1 mA Oo tease == 150C Veep =60V tl cB =O 2N 3740 ~0,1 mA Collector-base cut-off current EO lop Courant rsiduel coliecteur-base Vv =-80V 0 cB 2N 3741 0,1 mA le =0 Emitter-base cut-off current Vep=77V | _ Courant rsiduel metteur-base lo = EBO 0.5 mA le = 100 mA i <6 | 2N-3740| 60 v Collector-emitter breakdown voitage a = Vv Tension de claquage collecteur-metteur 1 100 mA (BR}CEO c * 2N 3741| 80 v 'g = Q Veep = iv cE c = 0,1 A 40 Vap =1V CE Static forward current transfer ratio lo =O,25A * 30 100 Valeur statique du rapport de fert ho, E direct du courant Vee =-1V Ig =-O5A 20 Veep = iv CE le = 1A '0 Collector-emitter saturation voltage Io = TA VcE * -0.6 Vv Tension de saturation collecteur-metteur Ip = 70,1254 sat ' Base-emitter voltage Voce =-1V Vee Ef 4 v Tension base-metteur lo =-0,25A * Pulsed t,=300ns 5<2% impulsions p 2/6 336*2N 3740, *2N 3741 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) (Unless otherwise stated} CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) (Sauf indications contraires) Test conditions . Conditions de mesure Min. Typ. Max. Transition frequency Voce =10V f. Frquence de transition 1 c = 0,1A T 4 MHz Output capacitance = c Capacit de sortie Vee =10V 22b 100 pF THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal resistance . Rsistance thermique (jonction-boitier} Rentj-e) 7 c/w SAFE OPERATING AREA Aire de fonctionnement de scurit (A) 60 40 20 10 Continuous 1 Continu Pulsed 0.6 imputlsion =26C Tease 0,4 0,2 2N 3740 2N 3741 0,1 1 2 4 6 10 20 40 60 cel! 3/6*2N 3740, *2N 3741 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de ta tension collecteur-metteur 'c (A) 1,6 1,2 0,8 0,4 0 1 2 3 4 Vogtv) COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR. EMITTER VOLTAGE Courant callecteur en fonction de la tension |q@ collecteur-metteur tA) 0,4 0,3 0,2 0,1 = mA 0 20 40 60 80 Vo,lv) STATIC FORWARD CURRENT TRANSFER RATIO VERSUS COLLECTOR CURRENT Valeur statique du rapport de transfert direct du hoy E courant en fonctian du courant collecteur Voe =~1V 150 N 3 100 \z Dp o NS = e . MN \ 80 N NN 0 > 4 2 4 6 102 1071 Iola) 4/6 338*2N 3740, *2N 3741 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES BASE CURRENT VERSUS BASE-EMITTER VOLTAGE Courant base en fonction de ja tension base- metteur cE=1V 0,4 0,6 0,8 1 1,2) Vee (v) COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation collecteur-metteur en fonction du courant callecteur 2 #4 2 #468 68 2 4a 10 1 0 igi COLLECTOR CURRENT VERSUS BASE- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de la tension base-metteur 'e A Veg = 1 6 4 2 107 8 6 4 2 107 0 0,4 0,8 1,2 Vee (v) BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation base-metteur en v. fonction du courant collecteur B Vv ) |le 1 2 468 2 #468 2 * ola) 102 10"! 10 5/6*2N 3740, *2N 3741 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES OUTPUT CAPACITANCE VERSUS TRANSITION FREQUENCY VERSUS COLLECTOR-BASE VOLTAGE COLLECTOR CURRENT Capacit de sartie en fonction de la Frquence de transition en fonction du tension collecteur-base courant collecteur 225 fr (pF) (MHz) ce = 10V t = 25C case (vy 10" 2 3 4 5 67 Igta) TRANSIENT THERMAL RESISTANCE DERATING FACTOR UNDER PULSES CONDITIONS Facteur de rduction de fa rsistance thermique en rgime dimpulsions 102 2 2 5 25 2 5 18 10% 10% 10% 107 tplseel 6/6 340