* PNP SILICON TRANSISTOR, EPITAXIAL PLANAR BF 423 TRANSISTOR PNP SILICIUM, PLANAR EPITAXIAL Compl. of BF 422 2K Preferred device Dispositif recommand - Video amplification Amplification Video VcEo 250 V lom 100 mA ho1_(-25 mA) 50 min. f(10 mA) 60 MHz min. Maximum power dissipation Plastic case F 139 B See outline drawing CB-76 on last pages Dissipation de puissance maximale Boftier plastique Voir dessin cot CB-76 dernires pages Prot (Ww) 0, 0,4 B 02 Bottom view f Vue de dessous 0 Weight : 0,3 g. 60 100 150 200 Tambp(C) Masse ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) Tamb = +25 C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION am: (Sauf indications contraires) Collector-base voltage Tension collecteur-base Veso -250 v Collector-emitter voltage Tension collecteur-metteur Vceo 250 Vv Emitter-base voltage Vv Tension metteur-base EBO -5 Vv Collector current I Courent collecteur c 20 mA Peak collector current 1 Courant de crte de collecteur CM 100 mA Power dissipation Dissipation de puissance Prot 830 mw Junction temperature . Temprature de jonction max. qj 150 C Storage temperature min, T 65 C Temprature de stockage max. stg +150 C 76-26 1/3 605 BF 423 STATIC CHARACTERISTICS T. =26C (Untess otherwise stated) CARACTERISTIQUES STATIQUES amb (Sautf indications contraires) Test conditions i Conditions de mesure Min. Typ. Max. Collector-base cut-off current Vog = 200 V I _ Courant rsiduel collecteur-base le = cBO 10 nA Vce = 200 V Collector-emitter cut-off current Roe = 10 k2 1 Courant rsiduel collecteur-metteur BE CER 10 BA Tj = 150C Emitter-base cut-off current Vep=-8V 1 Courant rsiduel metteur-base | c = EBO -10 BA Static forward current transfer ratio Voce =-20V Valeur statique du rapport de transfert I =-25 mA hoy E 50 direct du courant Cc 7 DYNAMIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES Transition frequency Veg =-10V Frquence de transition le =-10mA fr 60 MHz Veg = 30V Reverse transfer capacitance i = c, 2e 16 pF Capacit de transfert inverse f =0,5 MHz 2/3 606 BF 423 DYNAMIC CHARACTERISTICS T =25C (Uniess otherwise stated) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES amb (Saut indications contraires} Test conditions j Conditions de mesure Min. Typ. Max. Vos =-20V Collector-base time constant { =-30 mA tie, 70 7 E bb bc ps Constante de temps collecteur-basa ' = 10,7 MHz . I =-25 mA Collector-emitter knee voltage c Tension collecteur-metteur de coude Tj = 150C VCEKIHF) 20 Vv Note 1 NOTE 1: The high frequency knee voltage of a transistor is that value of the collector emitter voltage at which the small signal forward current transfer ratio h27~ has dropped to 80% of the value at VCE =50 V La tension de coude 4 haute frquence dun transistor est, par dfinition, la valeur de la tension collecteur metteur pour laquelte le rapport de transfert direct du courant & petit signal h217 est tomb & 80% de sa valeur 4-50 V Hote (5) THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-ambient thermal resistance Rsistance thermique (jonction-ambiante) Rth(j-a} 830 c/w 3/3