Technische Information / Technical Information Netz Thyristor Phase Control Thyristor T 901N 28...36TOF N Features: Volle Sperrfahigkeit bei Tvj=125C mit 50 Hz Full blocking capability at Tvj=125C with 50 Hz Hohe Stostrome und niedriger Warmewidererstand durch NTV-Verbindung zwischen Silizium und Mo-Tragerscheibe. High surge currents and low thermal resistance by using low temperature-connection NTV between silicon wafer and molybdenum. Elektroaktive Passivierung durch a - C:H Electroactive passivation by a - C:H Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hochstzulassige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwarts - und Ruckwarts Spitzensperrspannung repetitive peak forward off-state and reverse voltage f = 50 Hz Durchlastrom-Grenzeffektivwert RMS forward current VDRM, VRRM Tvjmin=-40C, Tvjmin=0C 2800 3200 3400 3500 3600 2900 3300 3500 3600 3700 V V V V V ITRMSM 2050 A 950 A 1300 A Dauergrenzstrom average on-state current TC = 85C, f = 50Hz TC = 60C, f = 50Hz ITAVM Stostrom-Grenzwert surge forward current Tvj = 25C, tp = 10ms, VR = 0 Tvj = Tvj max, tp = 10ms, VR = 0 ITSM Grenzlastintegral I2t-value Tvj = 25C, tp = 10ms Tvj = Tvj max, tp = 10ms I2t Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 747-6 f = 50Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/s (di/dt)cr 80 A/s Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM 5. Kennbuchstabe / 5 th letter F (dv/dt)cr 1000 V/s BIP AC / SM PB, 2002-04-03, Przybilla J. / Keller Release 2 19 kA 17 kA 1,805*106 A2s 2 1,445*106 A s Seite/page 1 Technische Information / Technical Information Netz Thyristor Phase Control Thyristor T 901N 28...36TOF N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Tvj = Tvj max, iT = 1,2 kA vT typ 1,5 max 1,75 V Tvj = Tvj max V(TO) rT typ 1 0,413 max 1,16 0,494 V m Tvj = Tvj max A B C D typ -0,0764 0,00032 0,165 0,000816 max - 0,0802 0,00045 0,2085 -0,00524 Zundstrom gate trigger current Tvj = 25C, vD = 6V IGT max Zundspannung gate trigger voltage Tvj = 25C, vD = 6V VGT max Nicht zundender Steuerstrom gate non-trigger current Tvj = Tvj max, vD = 6V Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM IGD 20 mA 10 mA Nicht zundende Steuerspannung gate non-trigger voltage Tvj = 25C, vD = 0,5 VDRM VGD 0,4 V Haltestrom holding current Tvj = 25C, vD = 12V, RA = 4,7 IH 300 mA Einraststrom latching current Tvj = 25C, vD = 12V, RGK 10 iGM = 1A, diG/dt= 1 A/s, tg = 20s IL 3 A Vorwarts- und Ruckwarts-Sperrstrom forward off-state and reverse current Tvj = Tvj max vD = VDRM, vR = VRRM iD, iR Zundverzug gate controlled delay time DIN IEC 747-6 Tvj = 25C, iGM = 1A, diG/dt = 1A/s tgd Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM vRM = 100V, vDM = 0,67 VDRM dvD/dt = 20V/s, diT/dt = -10A/s 4. Kennbuchstabe / 4 th letter O tq Sperrverzogerungsladung recovered charge Tvj = Tvj max iTM = 2 kA, di/dt = -10 A/s vR = 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM Qr Ruckstromspitze peak reverse recovery current Tvj = Tvj max iTM = 2 kA, di/dt = -10 A/s vR = 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM IRM BIP AC / SM PB, 2002-04-03, Przybilla J. / Keller Release 2 Durchlaspannung on-state voltage Schleusenspannung / threshold voltage Ersatzwiderstand / slope resistance Durchlarechenkennlinien 300 A iT 5000 A On - state characteristics for calculation VT = A + B . iT + C . ln(iT+1) + D . iT 350 mA 2,5 V 100 mA 2 s typ max. 300 s 7,5 mAs 220 A Seite/page 2 Technische Information / Technical Information Netz Thyristor Phase Control Thyristor T 901N 28...36TOF N Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Warmewiderstand thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided, = 180sin beidseitig / two-sided , DC RthJC 0,018 C/W 0,017 C/W Ubergangs-Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink beidseitig / two-sided RthCK 0,004 C/W Hochstzulassige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Tvj max 125 C Betriebstemperatur operating temperature Tc op -40...+125 C Lagertemperatur storage temperature Tstg -40...+150 C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehause, siehe Anlage case, see appendix Seite 4 Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate Si-pellet with pressure contact, amplifying gate 55TN36 Anprekraft clampig force F Gewicht weight G Kriechstrecke creepage distance 15...24 kN typ 550 g 25 mm Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50Hz C 50 m/s2 Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehorigen technischen Erlauterungen. This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. BIP AC / SM PB, 2002-04-03, Przybilla J. / Keller Release 2 Seite/page 3 Technische Information / Technical Information Netz Thyristor Phase Control Thyristor T 901N 28...36TOF N Mabild / Outline BIP AC / SM PB, 2002-04-03, Przybilla J. / Keller Release 2 Seite/page 4 Technische Information / Technical Information Netz Thyristor Phase Control Thyristor T 901N 28...36TOF N Durchlakennlinien iT = f ( vT ) Limiting and typical on-state characteristic Tvj = 125 C 5500 5000 4500 4000 3500 typ max 2 3 I T (A) 3000 2500 2000 1500 1000 500 0 0 1 4 VT [V] BIP AC / SM PB, 2002-04-03, Przybilla J. / Keller Release 2 Seite/page 5 Technische Information / Technical Information Netz Thyristor Phase Control Thyristor T 901N 28...36TOF N Steuerkreischarakteristik mit Zundbereichen Gate characteristic with triggering areas vG = f (iG), VD = 6V Parameter a b c Steuerimpulsdauer / trigger pulse duration tg(ms) Hochstzulassige Spitzensteuerverlustleistung Max. rated peak power dissipation PGM (W) 10 1 0,5 20 40 60 30 20 10 c 5 b a -4 0 C 2 v G + 2 5 C [V ] + 1 2 5 C 1 0 ,5 0 ,2 10 20 50 100 200 500 1000 2000 5000 10000 iG [ m A ] BIP AC / SM PB, 2002-04-03, Przybilla J. / Keller Release 2 Seite/page 6 Technische Information / Technical Information Netz Thyristor Phase Control Thyristor T 901N 28...36TOF N Transienter innerer Warmewiderstand Transient thermal impedance Zth JC = f (t) ZthJC = n=1 Rthn (1 - e - t / n ) nmax n double-sided cooling Rth [K/W] n [s] 1 2 3 4 5 0,00554 0,00029 0,0081 0,002 0,00107 0,01700 1,13 0,805 0,129 0,0145 0,004 cathode-side cooling Rth [K/W] n [s] 0,02271 0,0089 0,00032 0,002 0,00107 0,0350 6,03 0,15 0,0934 0,0145 0,004 anode-side cooling Rth [K/W] n [s] 0,02071 0,0089 0,00032 0,002 0,00107 0,0330 5,8 0,15 0,0934 0,0145 0,004 0,040 c 0,035 a 0,030 0,020 d 0,015 0,010 0,005 0,001 0,01 0,1 1 10 0,000 100 t [s] BIP AC / SM PB, 2002-04-03, Przybilla J. / Keller Release 2 Seite/page 7 Zth [K/W] 0,025 Technische Information / Technical Information Netz Thyristor Phase Control Thyristor T 901N 28...36TOF N Sperrverzogerungsladung / recoverd charge Qr = f (-di/dt) Tvj = 125C, iTM = 2000A, vR = 0,5VRRM, vRM = 0,8 VRRM 50 40 30 Qr [mAs] 20 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 20 30 -di/dt [A/s] BIP AC / SM PB, 2002-04-03, Przybilla J. / Keller Release 2 Seite/page 8 Technische Information / Technical Information Netz Thyristor Phase Control Thyristor T 901N 28...36TOF N Ruckstromspitze / peak reverse recovery current IRM = f (-di/dt) Tvj = 125C, iTM = 2000A, vR = 0,5VRRM, vRM = 0,8 VRRM 400 350 300 IRM [A] 250 200 150 100 50 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 -di/dt [A/s] BIP AC / SM PB, 2002-04-03, Przybilla J. / Keller Release 2 Seite/page 9 20