Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor T 901N 28...36TOF
BIP AC / SM PB, 2002-04-03, Przybilla J. / Keller Release 2 Seite/page
N
1
Features:
Volle Sperrfähigkeit bei Tvj=125°C mit 50 Hz Full blocking capability at Tvj=125°C with 50 Hz
Hohe Stoßströme und niedriger Wärme- High surge currents and low thermal resistance
widererstand durch NTV-Verbindung by using low temperature-connection NTV between
zwischen Silizium und Mo-Trägerscheibe. silicon wafer and molybdenum.
Elektroaktive Passivierung durch a - C:H Electroactive passivation by a - C:H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts - und Rückwärts -
Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltage
f = 50 Hz VDRM,
VRRM
Tvjmin=-40°C, Tvjmin=0°C
2800 2900
3200 3300
3400 3500
3500 3600
3600 3700
V
V
V
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
ITRMSM 2050 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85°C, f = 50Hz
TC = 60°C, f = 50Hz
ITAVM 950
1300
A
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Tvj = 25°C, tp = 10ms, VR = 0
Tvj = Tvj max, tp = 10ms, VR = 0
ITSM 19
17
kA
kA
Grenzlastintegral
I2t-value
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
I2t 1,805·106
1,445·106 A2s
A2s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6
f = 50Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs
(di/dt)cr 80 A/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5. Kennbuchstabe / 5 th letter F
(dv/dt)cr 1000 V/µs
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2
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max, iT = 1,2 kA
vT
typ
1,5
max
1,75
V
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / slope resistance
Tvj = Tvj max
V(TO)
rT
typ
1
0,413
max
1,16
0,494
V
mΩ
Durchlaßrechenkennlinien 300 A ≤ iT ≤ 5000 A
On - state characteristics for calculation
VT = A + B . iT + C . ln(iT+1) + D . √iT
Tvj = Tvj max
A
B
C
D
typ
-0,0764
0,00032
0,165
0,000816
max
– 0,0802
0,00045
0,2085
-0,00524
Zündstrom
gate trigger current
Tvj = 25°C, vD = 6V IGT max 350 mA
Zündspannung
gate trigger voltage
Tvj = 25°C, vD = 6V VGT max 2,5 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max, vD = 6V
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM
IGD 20
10
mA
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = 25°C, vD = 0,5 VDRM VGD 0,4 V
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C, vD = 12V, RA = 4,7Ω IH 300 mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10Ω
iGM = 1A, diG/dt= 1 A/µs, tg = 20µs
IL 3A
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Tvj = Tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
iD, iR 100 mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6
Tvj = 25°C,
iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs
tgd 2µs
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
vRM = 100V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20V/µs, diT/dt = -10A/µs
4. Kennbuchstabe / 4 th letter O
tq typ 300 µs
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Tvj = Tvj max
iTM = 2 kA, di/dt = -10 A/µs
vR = 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
Qr max. 7,5 mAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Tvj = Tvj max
iTM = 2 kA, di/dt = -10 A/µs
vR = 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
IRM 220 A
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3
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
beidseitig / two-sided, Θ = 180°sin
beidseitig / two-sided , DC
RthJC 0,018
0,017
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
beidseitig / two-sided RthCK 0,004 °C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Tvj max 125 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op -40...+125 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg -40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Seite 4
Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate
Si-pellet with pressure contact, amplifying gate
55TN36
Anpreßkraft
clampig force
F 15...24 kN
Gewicht
weight
G typ 550 g
Kriechstrecke
creepage distance
25 mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040 C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz 50 m/s2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Maßbild / Outline
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Durchlaßkennlinien iT = f ( vT )
Limiting and typical on-state characteristic
Tvj = 125 °
°°
° C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
01234
VT [V]
I
T
(A)
typ max
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Steuerkreischarakteristik mit Zündbereichen
Gate characteristic with triggering areas
vG = f (iG), VD = 6V
Parameter a b c
Steuerimpulsdauer / trigger pulse duration tg(ms) 10 1 0,5
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung
Max. rated peak power dissipation PGM (W) 20 40 60
30
20
10
5
2
1
0,5
0,2
10 1000050002000
5020 100 200 500 1000
iG [m A ]
vG [V ]
+125°C
+25°C
-4 0 °C
a
b
c
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Transienter innerer Wärmewiderstand
Transient thermal impedance Zth JC = f (t)
double-sided cooling cathode-side cooling anode-side cooling
n Rth [K/W] τn [s] Rth [K/W] τn [s] Rth [K/W] τn [s]
1 0,00554 1,13 0,02271 6,03 0,02071 5,8
2 0,00029 0,805 0,0089 0,15 0,0089 0,15
3 0,0081 0,129 0,00032 0,0934 0,00032 0,0934
4 0,002 0,0145 0,002 0,0145 0,002 0,0145
5 0,00107 0,004 0,00107 0,004 0,00107 0,004
Σ 0,01700 0,0350 0,0330
0,000
0,005
0,010
0,015
0,020
0,025
0,030
0,035
0,040
0,001 0,01 0,1 1 10 100
t [s]
Zth [K/W]
c
a
d
()
ZRe
thJC thn
t
n
n
n
=⋅−
−
=
∑1
1
/
max
τ
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Sperrverzögerungsladung / recoverd charge
Qr = f (-di/dt)
Tvj = 125°C, iTM = 2000A, vR = 0,5⋅VRRM, vRM = 0,8 VRRM
9
8
7
6
50
40
30
20
10
5
4
3
2
302010987654321
-di/dt [A/µs]
Qr [mAs]
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9
Rückstromspitze / peak reverse recovery current
IRM = f (-di/dt)
Tvj = 125°C, iTM = 2000A, vR = 0,5⋅VRRM, vRM = 0,8 VRRM
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0 2 4 6 8 101214161820
-di/dt [A/µs]
IRM [A]
