1
MOSFET
MOSFETMOSFET
MOSFET 50A
50A50A
50A
500V
500V500V
500V PDM505HC
耐 圧・クラス Grade 項 目
Rating 記 号
Symbol PD M505 HC 単位
Unit
500
ドレイン・ソース間電圧
Drain-S ource Voltage VDSS VGS=0V V
ゲート・ソース間電圧
Gat e-Sourc e Voltag e VGSS ±20 V
Duty=50% 50（Ｔc=25℃） ドレイン電流（連続）
Continuous Drain Current D.C. ID 35（Ｔc=25℃） A
パルスドレイン電流
Pulsed Drain Current IDM 100（Ｔc=25℃） A
全損失
T otal Power Dissipation PD 350（Ｔc=25℃） W
動作接合温度範囲
Oper ating J uncti on Temp erature Rang e Tjw −40〜+150℃ ℃
保存温度範囲
Stor age Temp eratur e Ra nge Tstg −40〜+125℃ ℃
2000
絶縁耐圧
RMS Isolation V oltage Viso 端子 - ベース間,AC1 分間 Terminals t o Base, AC 1 min . V
3.0（本体取付 Module Base to Heat sink） 締付トルク
Mount ing Torque Ftor 2.0（ネジ端子部 Bus bar to Mai n Term inals） N・m
PDM505HC
PDM505HCPDM505HC
PDM505HC
質量 Appr oximate Weig ht :220g
■最大定格
最大定格最大定格
最大定格Maximum Ratings
http://store.iiic.cc/
─ 326 ─
■電気的特性 ElectricalCharacteristics（＠TC＝25℃ unlessotherwisenoted）
項   目
Characteristic 記号
Symbol 条   件
Condition
特性値（最大）
MaximumValue
単位
Unit
最小
Min. 標準
Typ. 最大
Max.
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent IDSS VDS＝VDSS,VGS＝0V ─ ─ 1 mA
ゲート・ソース間しきい値電圧
Gate-SourceThresholdVoltage VGS（th） VDS＝VGS,ID＝3mA 23.1 4 V
ゲート・ソース間漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent IGSS VGS＝±20V,VDS＝0V ─ ─ 0.3 μA
ドレイン・ソース間オン抵抗（MOSFET部）
StaticDrain-SourceOn-Resistance rDS（on） VGS＝10V,ID＝25A ─110 120 mΩ
ドレイン・ソース間オン電圧
Drain-SourceOn-Voltage VDS（on） VGS＝10V,ID＝25A ─3.2 3.5 V
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance gfg VDS＝15V,ID＝25A ─ 30 ─ S
項   目
Characteristic 記号
Symbol 条   件
Condition
特性値（最大）
MaximumValue
単位
Unit
最小
Min. 標準
Typ. 最大
Max.
ソース電流（連続）
ContinuousSourceCurrent ISD.C. ─ ─ 35 A
パルスソース電流
PulsedSourceCurrent ISM ─ ─ 100 A
ダイオード順電圧
DiodeForwardVoltage VSD IS＝50A ─ ─ 1.5 V
逆回復時間
ReverseRecoveryTime trr IS＝50A
−diS/dt＝100A/μs
─ 80 ─ ns
逆回復電荷
ReverseRecoveryCharge Qr─0.18 ─μC
Tj＝125℃,VDS＝VDSS,VGS＝0V ─ ─ 4
入力容量
InputCapacitance Ciss VGS＝0V
VDS＝25V
f＝1MHz
─8.4 ─nF
出力容量
OutputCapacitance Coss ─1.1 ─nF
帰還容量
ReverseTransferCapacitance Crss ─0.24 ─nF
上昇時間
RiseTime tr
ターン・オン遅延時間
Turn-OnDelayTime td（on）
VDD＝1/2VDSS
ID＝25A
VGS＝−5V,＋10V
RG＝5Ω
─ 92 ─ ns
─110 ─ns
ターン・オン遅延時間
Turn-OffDelayTime td（off） ─250 ─ns
下降時間
FallTime tf─ 68 ─ ns
項   目
Characteristic 記号
Symbol 条   件
Condition
特性値（最大）
MaximumValue
単位
Unit
最小
Min. 標準
Typ. 最大
Max.
熱抵抗（接合部−ケース間）
ThermalResistance,JunctiontoCase Rth（j-c） MOSFET ─ ─ 0.36
℃/W
接触熱抵抗（ケース−冷却フィン間）
ThermalResistance,CasetoHeatsink Rth（c-f） サーマルコンパウンド塗布
Mountingsurfaceflat,smooth,andgreased ─ ─ 0.1
Diode ─ ─ 2.0
■内部ダイオード定格・特性 
Source-DrainDiodeRatingsandCharacteristics（＠T
C
＝25℃ unlessotherwisenoted）
■熱抵抗特性 ThermalCharacteristics
Ｍ
Ｏ
Ｓ
Ｆ
Ｅ
Ｔ
モ
ジ
ュ
ー
ル
http://store.iiic.cc/
─ 327 ─
■定格・特性曲線
80
60
40
20
0024681012
DRAIN CURRENT I
D
(A)
DRAIN TO SOURCE VOLTA GE V
DS
(V)
TC=25℃250μsPulseTest
VGS=10V
8V
6V
5V
Fig.1TypicalOutputCharacteristics
12
10
8
6
4
2
01 2 5 10 20 50 100
CAPACITANCE C (nF)
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
VGS=0Vf=1MHz
Ciss
Coss
Fig.4TypicalCapacitance
Fig.4Vs.Drain-SourceVoltage
1000
500
100
200
50
20
101 2 5 10 20 50 100
SWITCHING TIME t (ns)
RG=5ΩVDD=250VTC=25℃80μsPulseTest
DRAIN CURRENT I
D
(A)
td(off)
td(on)
tr
tf
Fig.7TypicalSwitchingTime
Fig.7Vs.DrainCurrent
200
50
100
20
10
5
0.5
1
2
0.21 2 5 10 20 50 100 500200 1000
DRAIN CURRENT I
D
(A)
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
TC=25℃Tj=150℃MAXSinglePulse
10μs
1ms
10ms
DC
100μs
Operationinthisarea
islimitedbyRDS(on)
Fig.10MaximumSafeOperatingArea
8
6
4
2
00 4 8 12 16
DRAIN TO SOURCE ON VOLTAGE V
DS
(on)(V)
GATE TO SOURCE VOLTAGE V
GS
(V)
TC=25℃250μsPulseTest
25A
15A
ID=50A
Fig.2TypicalDrain-SourceOn-Voltage
Fig.2Vs.Gate-SourceVoltage
16
12
8
4
00 100 200 300 400 500 600
GATE TO SOURCE VOLTAGE V
GS
(V)
TOTAL GATE CHRAGE Q
g
(nC)
ID=35A
VDD=100V
250V
400V
Fig.5TypicalGateCharge
Fig.5Vs.Gate-SourceVoltage
120
100
80
60
40
20
00 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 1.8
SOURCE CURRENT I
S
(A)
SOURCE TO DRAIN VOLTAGE V
SD
(V)
250μsPulseTest
Tj=125℃
Tj=25℃
Fig.8TypicalSource-DrainDiodeForward
Fig.8Characteristics
0.01
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
110
NORMALIZED TRANSIENT
THERMAL IMPEDANCE
[r
th(j-c)
/ R
th(j-c)
]
PULSE DURATION t (s)
PerUnitBase
Rth(j-c)=0.36℃/W
1ShotPulse
Fig.11-1
NormalizedTransientThermal
impedance(MOSFET)
16
12
8
4
0
-40 0 40 80 120 160
DRAIN TO SOURCE ON VOLTAGE V
DS
(on)(V)
JUNCTION TEMPERATURE T
j
(
 
)
VGS=10V250μsPulseTest
25A
15A
ID=50A
℃
Fig.3TypicalDrain-SourceOnVoltage
Fig.3Vs.JunctionTemperature
5
2
0.5
1
0.2
0.1
0.052 5 10 20 50 100 200
SWITCHING TIME t (
μ
s)
ID=25AVDD=250VTC=25℃80μsPulseTest
SERIES GATE IMPEDANCE R
G
(
 
)
Ω
td(off)
td(on)
tr
tf
Fig.6TypicalSwitchingTime
Fig.6Vs.SeriesGateimpedance
500
200
50
100
20
10
50 100 200 300 400 500 600
REVERSE RECOVERY TIME t
rr
(ns)
REVERSE CURRENT I
R
(A)
-dis/dt (A/
μ
s)
trr
IR
IS=50A IS=25ATj=125℃
Fig.9TypicalReverseRecoveryCharacteristics
0.01
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
110
NORMALIZED TRANSIENT
THERMAL IMPEDANCE
[r
th(j-c)
/ R
th(j-c)
]
PULSE DURATION t (s)
PerUnitBase
Rth(j-c)=2.0℃/W
1ShotPulse
Fig.11-2
NormalizedTransientThermal
impedance(DIODE)
http://store.iiic.cc/