TIP31, TIP31A, TIP31B, TIP31C,
(NPN), TIP32, TIP32A, TIP32B,
TIP32C, (PNP)
Complementary Silicon
Plastic Power Transistors
Designed for use in general purpose amplifier and switching
applications.
•Collector-Emitter Saturation Voltage -
VCE(sat) = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc
•Collector-Emitter Sustaining Voltage -
VCEO(sus) = 40 Vdc (Min) - TIP31, TIP32
= 60 Vdc (Min) - TIP31A, TIP32A
= 80 Vdc (Min) - TIP31B, TIP32B
= 100 Vdc (Min) - TIP31C, TIP32C
•High Current Gain - Bandwidth Product
fT = 3.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc
•Compact TO-220 AB Package
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol Value Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector-Emitter Voltage TIP31, TIP32
TIP31A, TIP32A
TIP31B, TIP32B
TIP31C, TIP32C
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
VCEO
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
40
60
80
100
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector-Base Voltage TIP31, TIP32
TIP31A, TIP32A
TIP31B, TIP32B
TIP31C, TIP32C
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
VCB
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
40
60
80
100
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter-Base Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
VEB
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current Continuous
Peak
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
IC
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
3.0
5.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎ
ÎÎÎ
IB
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation
@ TC = 25C
Derate above 25C
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
40
0.32
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation
@ TA = 25C
Derate above 25C
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.0
0.016
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Unclamped Inductive
Load Energy (Note 1)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
E
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
32
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mJ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
TJ, Tstg
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
–65 to
+150
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
C
1. IC = 1.8 A, L = 20 mH, P.R.F. = 10 Hz, VCC = 10 V, RBE = 100 Ω..
4
123
3 AMPERE
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
SILICON
40-60-80-100 VOLTS
40 WATTS
TO-220AB
CASE 221A-09
STYLE 1
MARKING
DIAGRAM
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 6 of this data sheet.
ORDERING INFORMATION
xxx = Specific Device Code:
31, 31A, 31B, 31C, 32, 32A, 32B, 32C
A = Assembly Location
Y = Year
WW = Work Week
AYWW
TIPxxx
http://onsemi.com
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003
January, 2003 - Rev. 8 1Publication Order Number:
TIP31A/D
TIP31, TIP31A, TIP31B, TIP31C, (NPN), TIP32, TIP32A, TIP32B, TIP32C, (PNP)
http://onsemi.com
2
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
RθJA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
62.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
RθJC
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
3.125
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector-Emitter Sustaining Voltage (Note 2) TIP31, TIP32
(IC = 30 mAdc, IB = 0) TIP31A, TIP32A
TIP31B, TIP32B
TIP31C, TIP32C
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCEO(sus)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
40
60
80
100
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
-
-
-
-
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCE = 30 Vdc, IB = 0) TIP31, TIP32, TIP31A, TIP32A
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ICEO
ÎÎÎ
ÎÎÎ
-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
0.3
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCE = 60 Vdc, IB = 0) TIP31B, TIP31C, TIP32B, TIP32C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
0.3
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCE = 40 Vdc, VEB = 0) TIP31, TIP32
(VCE = 60 Vdc, VEB = 0) TIP31A, TIP32A
(VCE = 80 Vdc, VEB = 0) TIP31B, TIP32B
(VCE = 100 Vdc, VEB = 0) TIP31C, TIP32C
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICES
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
-
-
-
-
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
200
200
200
200
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
µAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
IEBO
ÎÎÎ
ÎÎÎ
-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 1.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
DC Current Gain (IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
hFE
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
25
10
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
-
50
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
-
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector-Emitter Saturation Voltage (IC = 3.0 Adc, IB = 375 mAdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VCE(sat)
ÎÎÎ
ÎÎÎ
-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.2
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base-Emitter On Voltage (IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VBE(on)
ÎÎÎ
ÎÎÎ
-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.8
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Current-Gain - Bandwidth Product (IC = 500 mAdc, VCE = 10 Vdc, ftest = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎÎ
fT
ÎÎÎ
3.0
ÎÎÎÎ
-
ÎÎÎ
MHz
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Small-Signal Current Gain (IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
hfe
ÎÎÎ
ÎÎÎ
20
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
-
ÎÎÎ
ÎÎÎ
-
2. Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%.
TIP31, TIP31A, TIP31B, TIP31C, (NPN), TIP32, TIP32A, TIP32B, TIP32C, (PNP)
http://onsemi.com
3
Figure 1. Power Derating
T, TEMPERATURE (°C)
0 100
0
1.0
160
2.0
3.0
60 80
40 140
4.0
TURN-ON PULSE
APPROX
+11 V
Vin 0
VEB(off) t1
APPROX
+11 V
Vin
t2
TURN-OFF PULSE
t3
t1 ≤ 7.0 ns
100 < t2 < 500 µs
t3 < 15 ns
DUTY CYCLE ≈ 2.0%
APPROX -9.0 V
RB and RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS.
SCOPE
RC
RB
VCC
Vin
Cjd << Ceb
- 4.0 V
Figure 2. Switching Time Equivalent Circuit
0.03
Figure 3. Turn-On Time
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.02 0.1 3.0
0.07
1.0
1.0
IC/IB = 10
TJ = 25°C
tr @ VCC = 10 V
0.5
0.3
0.1
0.05
0.05 0.3 0.5
td @ VEB(off) = 2.0 V
0.03
0.7
2.0
tr @ VCC = 30 V
20 120
TC
TA
0
10
20
30
40
TC
TA
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
t, TIME (s)
TIP31, TIP31A, TIP31B, TIP31C, (NPN), TIP32, TIP32A, TIP32B, TIP32C, (PNP)
http://onsemi.com
4
t, TIME (ms)
1.0
0.01
0.01
0.1
r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED)
1.0 1.0 100
ZθJC(t) = r(t) RθJC
RθJC(t) = 3.125°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) − TC = P(pk) ZθJC(t)
P(pk)
t1
t2
SINGLE PULSE
1.0 k
D = 0.5
0.05
DUTY CYCLE, D = t1/t2
Figure 4. Thermal Response
0.1
0.05
0.03
0.02
0.07
0.5
0.3
0.2
0.7
0.02 0.05 0.2 0.5 2.0 5.0 200 50010 20 50
0.2
0.02
0.01
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10 205.0 50 100
Figure 5. Active Region Safe Operating Area
0.2
0.1
0.5
SECONDARY BREAKDOWN
LIMITED @ TJ ≤150°C
THERMAL LIMIT @ TC = 25°C
(SINGLE PULSE)
BONDING WIRE LIMIT
1.0ms
100µs
2.0
1.0
10
5.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
5.0ms
CURVES APPLY
BELOW RATED VCEO
TIP31A, TIP32A
TIP31B, TIP32B
TIP31C, TIP32C
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate IC - VCE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 150C; TC is
variable depending on conditions. Second breakdown pulse
limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
150C. TJ(pk) may be calculated from the data in
Figure 4. A t high case temperatures, thermal limitations will
reduce the power that can be handled to values less than the
limitations imposed by second breakdown.
0.05 0.1 0.2 0.70.03 0.3 0.50.07
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 6. Turn-Off Time
3.0
t, TIME (s)µ
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
1.0 2.0 3.0 0.2 0.5 1.0 5.00.1 2.0 3.00.3
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance
300
CAPACITANCE (pF)
200
100
70
50
30
10 20 4030
tf @ VCC = 30 V
tf @ VCC = 10 V
ts′
IB1 = IB2
IC/IB = 10
ts′ = ts − 1/8 tf
TJ = 25°C
TJ = +25°C
Ceb
Ccb
TIP31, TIP31A, TIP31B, TIP31C, (NPN), TIP32, TIP32A, TIP32B, TIP32C, (PNP)
http://onsemi.com
5
VCE, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
103
−0.4
101
100
10−2
102
10−1
10−3
107
105
104
102
106
103
IB, BASE CURRENT (mA)IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
hFE, DC CURRENT GAIN
Figure 8. DC Current Gain Figure 9. Collector Saturation Region
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
300
500
0.05 0.07 0.3 3.00.03
100
70
50
30
10
7.0
0.1
VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. “On” Voltages
VCE = 2.0 V
5.0 0.7 1.00.5
1.6
2.0
2.0 5.0 20 10001.0
0.8
0.4
10
0100 200 50050
25°C
TJ = 150°C
−55 °C1.2
1.4
0.003
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1.0
0.8
0.4
1.2
0.6
0.2
00.005 0.01 0.02 0.03 0.05 0.1
+2.5
IC = 0.3 A
20 60 80 100 120 16014040
V, VOLTAGE (VOLTS)
TJ = 25°C
1.0 A 3.0 A
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VBE @ VCE = 2.0 V
VCE(sat) @ IC/IB = 10
V, TEMPERATURE COEFFICIENTS (mV/ C)°θ
+2.0
+1.5
+1.0
+0.5
0
−0.5
−1.0
−1.5
−2.0
−2.5
0.003 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0
*APPLIES FOR IC/IB ≤ hFE/2
TJ = −65°C TO +150°C
*θVC FOR VCE(sat)
θVB FOR VBE
Figure 11. Temperature Coefficients
, COLLECTOR CURRENT (A)µIC
−0.3 −0.2 −0.1 0 +0.1 +0.2 +0.3 +0.4 +0.5 +0.6
Figure 12. Collector Cut-Off Region Figure 13. Effects of Base-Emitter Resistance
VCE = 30 V
TJ = 150°C
100°C
25°C
REVERSE FORWARD
ICES
RBE, EXTERNAL BASE−EMITTER RESISTANCE (OHMS)
VCE = 30 V
IC = 10 x ICES
IC ≈ ICES
IC = 2 x ICES
(TYPICAL ICES VALUES
OBTAINED FROM FIGURE 12)
TIP31, TIP31A, TIP31B, TIP31C, (NPN), TIP32, TIP32A, TIP32B, TIP32C, (PNP)
http://onsemi.com
6
ORDERING INFORMATION
Device Package Shipping
TIP31 TO-220AB 50 Units/Rail
TIP31A TO-220AB 50 Units/Rail
TIP31B TO-220AB 50 Units/Rail
TIP31C TO-220AB 50 Units/Rail
TIP32 TO-220AB 50 Units/Rail
TIP32A TO-220AB 50 Units/Rail
TIP32B TO-220AB 50 Units/Rail
TIP32C TO-220AB 50 Units/Rail
PACKAGE DIMENSIONS
TO-220AB
CASE 221A-09
ISSUE AA
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERSINCHES
A0.570 0.620 14.48 15.75
B0.380 0.405 9.66 10.28
C0.160 0.190 4.07 4.82
D0.025 0.035 0.64 0.88
F0.142 0.147 3.61 3.73
G0.095 0.105 2.42 2.66
H0.110 0.155 2.80 3.93
J0.018 0.025 0.46 0.64
K0.500 0.562 12.70 14.27
L0.045 0.060 1.15 1.52
N0.190 0.210 4.83 5.33
Q0.100 0.120 2.54 3.04
R0.080 0.110 2.04 2.79
S0.045 0.055 1.15 1.39
T0.235 0.255 5.97 6.47
U0.000 0.050 0.00 1.27
V0.045 −−− 1.15 −−−
Z−−− 0.080 −−− 2.04
B
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
F
123
4
D
SEATING
PLANE
-T-
C
S
T
U
R
J
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make
changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty , representation or guarantee regarding the suitability of its products for any
particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all
liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or
specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be
validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.
SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death
may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC
and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees
arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that
SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
JAPAN: ON Semiconductor , Japan Customer Focus Center
2-9-1 Kamimeguro, Meguro-ku, Tokyo, Japan 153-0051
Phone: 81-3-5773-3850
Email: r14525@onsemi.com
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com
For additional information, please contact your local
Sales Representative.
TIP31A/D
Literature Fulfillment:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA
Phone: 303-675-2175 or 800-344-3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 303-675-2176 or 800-344-3867 Toll Free USA/Canada
Email: ONlit@hibbertco.com
N. American Technical Support: 800-282-9855 Toll Free USA/Canada
