N
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Datenblatt / Data sheet
DD171N
IFBIP D AEC / 2011-03-01, M.Stelte
A 13/11
1/9
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
Thermische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
DD171N
DD171N..K..-A
DD171N..K..-K
ND171N
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Tvj = -40°C... Tvj max
VRRM
1200
1600
1400
1800
V
V
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25°C... Tvj max
VRSM
1300
1700
1500
1900
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
IFRMSM
270
A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 100°C
IFAVM
171
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
IFSM
6.600
5.600
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
218.000
157.000
A²s
A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 500 A
vF
max.
1,26
V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
0,75
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
0,8
Sperrstrom
reverse current
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
iR
max.
20
mA
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
VISOL
3,0
2,5
kV
kV
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC
RthJC
max.
max.
max.
max.
0,130
0,260
0,126
0,252
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
RthCH
max.
max.
0,03
0,06
°C/W
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
150
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
- 40...+150
°C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
- 40...+150
°C
prepared by:
M.Stelte
date of publication:
2011-03-01
approved by:
M.Leifeld
revision:
3.0
N
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Datenblatt / Data sheet
DD171N
IFBIP D AEC / 2011-03-01, M.Stelte
A 13/11
2/9
Mechanische Eigenschaften
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
AlN
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Toleranz ±15%
M1
6
Nm
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz ±10%
M2
6
Nm
Gewicht
weight
G
typ.
310
g
Kriechstrecke
creepage distance
15
mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50
m/s²
file-No.
E 83336
N
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Datenblatt / Data sheet
DD171N
IFBIP D AEC / 2011-03-01, M.Stelte
A 13/11
3/9
Maßbild
1 2 3
DD
1 2 3
DD-K
1 2 3
DD-A
2 3
ND
N
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Datenblatt / Data sheet
DD171N
IFBIP D AEC / 2011-03-01, M.Stelte
A 13/11
4/9
R,T Werte
R,Tau-Glieder des Elements
Transienter Wärmewiderstand
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [°C/W]
0,0094
0,0224
0,0586
0,162
τn [s]
0,0014
0,0253
0,267
1,68
Analytische Funktion / Analytical function:
max
n
n=1
thn
thJC
n
– t
- e
1
R
Z
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
N
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Datenblatt / Data sheet
DD171N
IFBIP D AEC / 2011-03-01, M.Stelte
A 13/11
5/9
R,Tau_Glieder des Kühlers
Natürliche Kühlung / Natural cooling
3 Module pro Kühler / 3 modules per heatsink
Kühler / Heatsink type: KM17 (60W)
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [°C/W]
0,0505
0,1235
1,616
τn [s]
2,97
21,4
1180
Verstärkte Kühlung / Forced cooling
3 Module pro Kühler / 3 modules per heatsink
Kühler / Heatsink type: KM17 (Papst 4650)
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [°C/W]
0,026
0,119
0,515
τn [s]
2,41
13,6
354
Analytische Funktion / Analytical function:
max
n
n=1
thn
thCA
n
– t
- e
1
R
Z
N
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Datenblatt / Data sheet
DD171N
IFBIP D AEC / 2011-03-01, M.Stelte
A 13/11
6/9
Diagramme
Diagramme Durchgangsverluste
Gehäusetemperatur
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PFAV = f(IFAV)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAVM)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechungsgrundlage PTAV
Calculation base PTAV
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
N
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Datenblatt / Data sheet
DD171N
IFBIP D AEC / 2011-03-01, M.Stelte
A 13/11
7/9
Maximaler Strom bei B2 und B6
050 100 150 200 250 300 350 400
ID [A]
L-Last
R-Last
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
050 100 150 200 250 300 350 400 450 500
ID [A]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
N
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Datenblatt / Data sheet
DD171N
IFBIP D AEC / 2011-03-01, M.Stelte
A 13/11
8/9
Sperrverzögerungsladung
Grenzstrom
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iFM
Grenzstrom je Zweig / Maximum overload on-state current per arm IF(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM
a: Leerlauf / No-load conditions
b: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm IFAV(vor) = IFAVM
Ta = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (Papst 4650)
Ta = 45°C, natürliche Luftkühlung / Natural air cooling Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (60W)
N
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Datenblatt / Data sheet
DD171N
IFBIP D AEC / 2011-03-01, M.Stelte
A 13/11
9/9
Überstrom
Überstrom je Zweig / Overload on-state current IF(OV)
B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular
Kühlkörper / Heatsink type KM17 (60W) Natürliche Kühlung bei / Natural cooling at TA = 45°C
Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm IFAV(vor)
Überstrom je Zweig / Overload on-state current IF(OV)
B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit 120° rectangular
Kühlkörper / Heatsink type KM17 (Papst 4650) Verstärkte Kühlung bei / Forced cooling at TA = 35°C
Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm IFAV(vor)
Mouser Electronics
Authorized Distributor
Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information:
Infineon:
ND171N18K DD171N16K DD171N12K ND171N16K ND171N12K