NTE5539 & NTE5540
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
55 Amps, TO218
Features:
DHigh Voltage Capability
DHigh Surge Capability
DGlass Passivated Chip
Electrical Characteristics: (TA = +25°C, 60Hz, Resistive load unless otherwise specified)
Repetitive Peak Off−State Forward & Reverse Voltage, VDRM, VRRM
NTE5539 400V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5540 800V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum RMS On−State Current, IT(RMS) 55A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Average On−State Current, IT(AV) 35A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
DC Gate Trigger Current (VD = 12V, RL = 30Ω), IGT
Minimum 5mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum 40mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Peak Off−State Forward & Reverse Current (At rated VDRM, VRRM), IDRM, IRRM
(TC = +25°C)
NTE5539 10μA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5540 20μA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(TC = +100°C)
NTE5539 1.0mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5540 1.5mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(TC = +125°C)
NTE5539 2.0mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5540 3.0mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak On−State Voltage (IT(RMS) = 55A, TC = +25°C), VTM 1.8V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum DC Gate Trigger Voltage (TC = +25°C, VD = 12V, RL = 30Ω), VGT 1.5V. . . . . . . . . . . . . .
Minimum DC Gate Trigger Voltage (TC = +125°C, VD = 12V, RL = 30Ω), VGT 0.2V. . . . . . . . . . . . . .
Maximum DC Holding Current (Gate Open, Initial On−State Current = 400mA(DC)), IH60mA. . . .
Peak Gate Current (Pulse Width ≤ 10μs), IGM 4A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Gate Power Dissipation (Pulse Width ≤ 10μs), PGM 40W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Average Gate Power Dissipation, PG(AV) 800mW. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak One Cycle Surge Forward Current, ITSM
50Hz 550A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
60Hz 650A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Minimum Critical Rate−of−Applied Forward Voltage, dv/dt
(TC = +100°C)
NTE5539 650V/μs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5540 500V/μs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(TC = +125°C)
NTE5539 550V/μs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5540 475V/μs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Electrical Characteristics (Cont’d): (TA = +25°C, 60Hz, Resistive load unless otherwise specified)
RMS Surge (Non−Repetitive) On−State Current for Fusing (8.3ms), I2t 1750A2sec. . . . . . . . . . . . . .
Maximum Rate−of−Change of On−State Current (IGT = 150mA, tr = 0.1μs), di/dt 175A/μs. . . . . . . .
Gate Controlled Turn−On Time (Gate Pulse = 150mA, Min Width = 15μs, tr ≤ 0.1μs), tgt 2.5μs. . .
Circuit Commutated Turn−Off Time (Note 1), tq35μs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Temperature Range, TJ−40° to +125°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, Tstg −40° to +125°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Lead Temperature (During Soldering, 1/16” from case, 10sec max), TL+230°C. . . . . . . . . . . . . . . . .
Note 1. iT = 2A, Pulse Duration = 50μs, dv/dt = 20V/μs, di/dt = −30A/μs, IGT = 200mA at Turn−On
KAG
A
.060 (1.52)
.173 (4.4)
.215 (5.45)
.055 (1.4) .015 (0.39)
.500
(12.7)
Min
.430
(10.92)
.550
(13.97)
.156
(3.96)
Dia.
NOTE: Dotted line indicates
that case may have square
corners.
.600 (15.24)
