Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D850N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hochstzulassige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung Kenndaten repetitive peak reverse voltages VRRM Tvj = -25C... Tvj max Elektrische Eigenschaften Durchlastrom-Grenzeffektivwert 2800 3200 3600 V 4000 V IFRMSM 1790 A 1) maximum RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state current TC = 100 C IFAVM 850 A Dauergrenzstrom average on-state current TC = 55 C, = 180sin, tP = 10 ms IFAVM 1210 A IFRMS 1900 A 15400 A 12800 A Durchlastrom-Effektivwert RMS on-state current Stostrom-Grenzwert surge current Tvj =25 C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max tP = 10 ms IFSM Grenzlastintegral It-value Tvj = 25 C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms It Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaspannung on-state voltage Tvj = Tvj max , iF = 3,5 kA Tvj = Tvj max , iF = 850 A vF Schleusenspannung threshold voltage Tvj = Tvj max V(TO) Ersatzwiderstand slope resistance Tvj = Tvj max rT Durchlakennlinie 200 A iF 4000 A on-state characteristic Tvj = Tvj max v F = A + B i F + C ln ( i F + 1 ) + D Sperrstrom reverse current Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Warmewiderstand thermal resistance, junction to case Ubergangs-Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink vj vj max R RRM Kuhlflache / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single-sided RthCH Tvj max date of publication: revision: approved by: M.Leifeld IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann iR RthJC Lagertemperatur storage temperature 1) 4000V auf Anfrage / 4000V on request A 49/08 2,62 V 1,28 V 0,84 V 0,485 m Kuhlflache / cooling surface beidseitig / two-sided, = 180sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, = 180sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, = 180sin Kathode / cathode, DC Hochstzulassige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operating temperature prepared by: H.Sandmann max. max. A= B= C= D= iF =T ,v =V ThermischeT Eigenschaften 1186 10As 819 10As 1,127E-01 5,455E-04 1,541E-01 -1,097E-02 max. 50 mA max. max. max. max. max. max. 0,038 0,035 0,064 0,061 0,085 0,082 max. max. 0,005 C/W 0,010 C/W C/W C/W C/W C/W C/W C/W 160 C Tc op -40...+160 C Tstg -40...+160 C 2008-09-15 3.0 Seite/page 1/8 N Datenblatt / Data sheet Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D850N Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehause, siehe Anlage case, see annex Seite 3 page 3 Mechanische Eigenschaften Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anprekraft clamping force F Gewicht weight G Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance 10...24 kN typ. 285 g 25 mm f = 50 Hz 50 m/s Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehorigen technischen Erlauterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 49/08 Seite/page 2/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D850N Mabild Mabild 1 2 1: Anode/ Anode 2: Kathode/ Cathode IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 49/08 Seite/page 3/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D850N Analytische Elemente des transienten Warmewiderstandes Z thJC fur DC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC Transienter Warmewiderstand Kuhlung / Cooling beidseitig two-sided anodenseitig anode-sided kathodenseitig cathode-sided Pos. n 1 2 3 4 5 6 7 Rthn [C/W] 0,00123 0,00397 0,0041 0,0153 0,0104 - - n [s] 0,00152 0,00932 0,0708 0,2510 1,7900 - - Rthn [C/W] 0,00134 0,00466 0,0174 0,0376 - - - n [s] 0,00159 0,01130 0,1770 6,2500 - - - Rthn [C/W] 0,00133 0,00457 0,0165 0,0596 - - - n [s] 0,00159 0,01110 0,1690 7,3100 - - - Analytische Funktion / Analytical function: ZthJC = nmax R n=1 thn 1- e -t n Z thJC [C/W] 0,10 0,08 c 0,06 a 0,04 b 0,02 0,00 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 100 Transienter innerer Warmewiderstand fur DC / Transient thermal impedance for DC Z thJC = f(t) a - Anodenseitige Kuhlung / Anode-sided cooling b - Beidseitige Kuhlung / Two-sided cooling c - Kathodenseitige Kuhlung / Cathode-sided cooling IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 49/08 Seite/page 4/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D850N Erhohung des Zth DC bei sinus- und rechteckformigen Stromen fur unterschiedliche Stromflusswinkel Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Diagramme Zth rec / Zth sin Diagramme Kuhlung / Cooling beidseitig two-sided anodenseitig anode-sided kathodenseitig cathode-sided = 180 = 120 = 90 = 60 = 30 Zth rec [C/W] 0,00380 0,00617 0,00795 0,01053 0,01464 Zth sin [C/W] 0,00272 0,00384 0,00534 0,00783 0,01249 Zth rec [C/W] 0,00378 0,00614 0,00795 0,01055 0,01467 Zth sin [C/W] 0,00271 0,00382 0,00533 0,00783 0,01253 Zth rec [C/W] 0,00378 0,00611 0,00793 0,01052 0,01462 Zth sin [C/W] 0,00271 0,00381 0,00532 0,00781 0,01250 Zth rec = Zth DC + Zth rec Zth sin = Zth DC + Zth sin 4.500 Durchlasskennlinie 4.000 T vj = Tvj max 3.500 iF [A] 3.000 2.500 2.000 1.500 1.000 500 0 0,8 1,3 1,8 V F [V] 2,3 2,8 Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF) Tvj = Tvj max IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 49/08 Seite/page 5/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D850N 3500 Durchlassverluste 3000 b c 2500 a d e f PFAV [W] 2000 Parameter: a - DC b - sin 180el (M 1 , M 2 , B 2) c - rec 120 el (B 6 , M 3 , M 3.2) d - rec 60el (M 6) e - sin 60el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load) f - sin 30el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load) 1500 1000 500 0 0 200 400 600 800 1000 IFAV [A] 1200 1400 1600 1800 2000 Durchlassverlustleistung / On-state power loss PFAV = f(IFAV) Beidseitige Kuhlung / Two-sided cooling Tc beidseitig 180 Parameter: a - DC b - sin 180el (M 1 , M 2 , B 2) c - rec 120 el (B 6 , M 3 , M 3.2) d - rec 60el (M 6) e - sin 60el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load) f - sin 30el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load) 160 140 T C [C] 120 100 80 60 40 f e c d a b 20 0 200 400 600 800 1000 I FAV [A] 1200 1400 1600 1800 2000 Hochstzulassige Gehausetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAV) Beidseitige Kuhlung / Two-sided cooling IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 49/08 Seite/page 6/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D850N iFM = 1600A 800A 400A 200A 100A 50A 10000 Qr [As] Qr Diagramm 1000 100 0,1 1 10 -di/dt [A/s] 100 Sperrverzogerungsladung / Recovered charge Qr =f(-di/dt) Tvj= Tvjmax , vR 0,5 VRRM , vRM = 0,8 VRRM RC-Glied / RC-Network: R = 3,9, C = 1F 14 12 IF(OV)M [kA] 10 8 0-50V 6 0,33 VRRM 0,67 VRRM 4 2 0 1 3 5 7 9 11 13 15 17 19 Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves Typische Abhangigkeit des Grenzstromes IF(OV)M von der Anzahl fur eine Folge von Sinus Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Ruckwartsspannung VRM Typical dependency of maximum overload on-state current IF(OV)M as a number of a sequence of sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM IF(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvj max IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 49/08 Seite/page 7/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D850N Disclaimer Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschlielich fur technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes fur die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollstandigkeit der bereitgestellten Produktdaten fur diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, fur die wir eine liefervertragliche Gewahrleistung ubernehmen. Eine solche Gewahrleistung richtet sich ausschlielich nach Magabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden fur das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls ubernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benotigen, die uber den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem fur Sie zustandigen Vertriebsburo in Verbindung (siehe www.infineon.com). Fur Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen konnte unser Produkt gesundheitsgefahrdende Substanzen enthalten. Bei Ruckfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem fur Sie zustandigen Vertriebsburo in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefahrdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir fur diese Falle - die gemeinsame Durchfuhrung eines Risiko- und Qualitatsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitatssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einfuhrung von Manahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Manahmen abhangig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Anderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 49/08 Seite/page 8/8 Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: Infineon: D850N30T D850N28T D850N32T D850N36T