N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D850N
IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 49/08 1/8
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Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
Thermische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Tvj = -25°C... Tvj max
VRRM 2800
3200
3600
4000
V
V 1)
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
I
FRMSM 1790 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 100 °C
IFAVM 850 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms IFAVM 1210 A
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
I
FRMS 1900 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj =25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max tP = 10 ms
IFSM 15400
12800
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t 1186
819
10³A²s
10³A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 3,5 kA
Tvj = Tvj max , iF = 850 A
vF
max.
max.
2,62
1,28
V
V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max V
(TO) 0,84 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max r
T 0,485 mΩ
Durchlaßkennlinie 200 A ≤ iF ≤ 4000 A
on-state characteristic
F
FFF iD)1i(lnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=
Tvj = Tvj max A=
B=
C=
D=
1,127E-01
5,455E-04
1,541E-01
-1,097E-02
Sperrstrom
reverse current
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
iR max. 50 mA
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
RthJC
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,038
0,035
0,064
0,061
0,085
0,082
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH
max.
max.
0,005
0,010
°C/W
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max 160 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op -40...+160 °C
Lagertemperatur
storage temperature Tstg -40...+160 °C
1) 4000V auf Anfrage / 4000V on request
prepared by: H.Sandmann date of publication: 2008-09-15
approved by: M.Leifeld revision: 3.0
N
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Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
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Mechanische Eigenschaften
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
F 10...24 kN
Gewicht
weight
G typ. 285 g
Kriechstrecke
creepage distance
25 mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz 50 m/s²
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D850N
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Maßbild
Maßbild
12
1: Anode/
Anode
2: Kathode/
Cathode
N
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Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
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Transienter Wärmewiderstand
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Kühlung /
Cooling Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
Rthn [°C/W] 0,00123 0,00397 0,0041 0,0153 0,0104 - -
beidseitig
two-sided τn [s] 0,00152 0,00932 0,0708 0,2510 1,7900 - -
Rthn [°C/W]
0,00134
0,00466
0,0174
0,0376
- - -
anodenseitig
anode-sided τn [s]
0,00159
0,01130
0,1770
6,2500
- - -
Rthn [°C/W]
0,00133
0,00457
0,0165
0,0596
- - -
kathodenseitig
cathode-sided τn [s]
0,00159
0,01110
0,1690
7,3100
- - -
Analytische Funktion / Analytical function: Σ
−
=
τ
max
n
n=1 thnthJC n
-t
e1RZ
b
a
c
0,00
0,02
0,04
0,06
0,08
0,10
0,001 0,01 0,1 1 10 100
t [s]
Z thJC [°C/W]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z thJC = f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Diagramme
Diagramme
Durchlasskennlinie
Erhöhung des Zth DC bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ
∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin
Kühlung / Cooling Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° Θ = 60° Θ = 30°
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,00380
0,00617
0,00795
0,01053
0,01464
beidseitig
two-sided ∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00272
0,00384
0,00534
0,00783
0,01249
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,00378
0,00614
0,00795
0,01055
0,01467
anodenseitig
anode-sided ∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00271
0,00382
0,00533
0,00783
0,01253
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,00378
0,00611
0,00793
0,01052
0,01462
kathodenseitig
cathode-sided ∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00271
0,00381
0,00532
0,00781
0,01250
Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
Tvj = Tvj max
0
500
1.000
1.500
2.000
2.500
3.000
3.500
4.000
4.500
0,81,31,82,32,8
VF [V]
iF [A]
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
Tvj = Tvj max
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Durchlassverluste
Tc beidseitig
a
c
d
b
e
f
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000
IFAV [A]
PFAV [W]
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-
belastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-
belastung / Reverse voltage load)
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PFAV = f(IFAV)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
a
c
d bef
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000
I FAV [A]
T C [°C]
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-
belastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-
belastung / Reverse voltage load)
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAV)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
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Qr Diagramm
100
1000
10000
0,1 1 10 100
-di/dt [A/µs]
Qr [µAs]
iFM =
1600A
800A
400A
200A
100A
50A
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge
Qr =f(-di/dt)
Tvj= Tvjmax , vR ≤ 0,5 VRRM , vRM = 0,8 VRRM
RC-Glied / RC-Network: R = 3,9Ω, C = 1µF
0-50V
0,33 VRRM
0,67 VRRM
0
2
4
6
8
10
12
14
1 3 5 7 9 1113151719
Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves
IF(OV)M [kA]
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IF(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IF(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
IF(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvj max
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