VPN SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORS NPN SILICIUM, PLANAR EPITAXIAUX zompl. of BC 177, BC 178, BC 179 * BC 107 * BC 108 BC 109 * Preferred device Dispositif recommand The NPN pian epitaxial transistors BC 107, 3C 108 and BC 109 are intended for use in Veco 45 V BC 107 .-F. preamplifier and drivers stages. The BC 109 Vv 20V {ec 108 s foreseen for low noise stages. CEO BC 109 es transistors NPN pian pitaxial BC 107, BC 108 et Ic 100 mA IC 109 sont destinds sux usages BF dans les tages h 125 . BC 107 premplificateurs et drivers. Le BC 109 est prvu 21e min. BC 108 our les tages faible bruit. hate 240 min. BC 109 F 4dB max. BC 109 Vlaximum power dissipation Case TO-18 See outline drawing CB-6 on last Pages dissipation de puissance maximale Boitier Voir dessin cot CB-6 dernires pages Pot (w) 08 tn free-air Alair libre 0,6 oa With infinite heat sink 02 avec un radiateur infini Weight : 0,459 Oo 60 100 160 200 Tamb( c) Masse cCye Collector is connected to case Le collecteur est reli au bottier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) 7. _ 425 (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION (Sauf indications contraires) BC 107 BC 108 BC 109 Emitter-base voltage Vv "ension metteur-base EBO 6 5 5 v sollector-emitter voltage ension collecteur-metteur Vceo 46 20 20 Vv collector-emitter voltage Vv, ension collecteur-metteur CER 50 30 30 v sollector current lourant collecteur . Ic 100 100 100 mA Tamb =25C 300 300 300 mw ower dissipation P, dissipation de puissance ot Tease 25C 850 850 850 mw unction temperature , T: emprature de jonction max, ji 175 175 175 c itorage temperature min. T 55 55 56 - c emprature de stockage max. 8 +175 +175 +175 76-47 1/10 THOMSON. CSF 297BC 107, BC 108, BC 109 STATIC CHARACTERISTICS Tamb = 25C (Unless otherwise stated CARACTERISTIQUES STATIQUES (Saut indications contraires, Test conditions A Conditions de mesure Min. Typ. Max. Voe= 50V CE BC 107 15 n Vpe= 0 Voe= 30V BC 108 15 n Vee= 9 BC 109 15 n Collector-emitter cut-off current Vee= 50V Ip. Courant rsiduel collecteur-metteur Vpe= 0 CES BC 107 4 ut Tamb 125C Veg= 30V CE Vpe= 0 BC 108 4 PY BC 109 4 f Tamb= 125C u Ig =2mA BC 107 | 45 \ Collector-emitter breakdown voltage v Tension de claquage coliecteur-metteur Ig =0 (BR)CEO Be 108 o , Ir = 1yA BC 107 | 6 \ Emitter-base breakdown voltage E VierjeBo | BC 108 | 5 Tension de claquage metteur-bese lo = BC 109 5 ' ig = 10nA A 40 Vog= BV 8 60 c 100 Static forward current transfer ratio * Valeur statique du rapport de fert hoy E direct du courant A 110 240 | =2mA Voce 5V B 200 480 CE Cc 400 850 In = 10mA Cc Ip = 0,5mA 0,1 0,2 Coliector-emitter saturation voltage Vv. Tension de saturation collecteur-metteur CEsat Io = 100mA BC 107 02 06 lg =SmA BC 108 02 0,6 In = 10mA Cc lp =0,5mA 0,7 0,83 Base-emitter saturation voltage Vv Tension de saturation base-metteur BEsat Ig = 100mA BC 107 0,9 1,05 Ig =5mA BC 108 0,9 1,05 * Pulsed tp =200us 6 <1% impuisions 2/10 298BC 107, BC 108, BC 109 JYNAMIC CHARACTERISTICS T =25C (Unless otherwise stated) ZARACTERISTIQUES DYNAMIQUES amb (Sauf indications contraires) Test conditions : Conditions de mesure Min. Typ. Max. imped Ig =2mA A 1,6 2,7 4,5 kQ nput impedance h 'mpdance dentra Vee= 5V 1le B 32 48 85 kQ f e=t1kHz Cc 6 8,7 16 kQ - Ip =2mA A 1,5 104 everse voltage transfer ratio _ h 4 tapport de transfert inverse de fa tension Voe= 5V T2e B 2 10 4 f =1kHz c 3 10 Ig =2mA * A 125 200 260 Forward current transfer ratio h , Vee=5V 21e B 240 330 500 apport de transfert direct di t CE }PO wiestert dii i Courar f - 1 kHz Cc 450 600 900 Dutput admittance Ic = 2mA A 18 30 HAN i Admittance de sortie Vop= 5 V h22e B 30 60 BAIV f = 1kHz c 60 110 BAIV Io =10mA Transition frequency = f. Fraquence de transition ycEe ; 90 MHz T 150 300 MHz Output it fe =0 jutput capacitance _ Sapacit de sortie Ves = 10V_ Cob 4 pF f = 1MHz Ig =0,2mA Vog= 5V BC 107 2 10 dB Rg =2kQ BC 108 2 10 dB f =1kHz BC 109 2 4 dB Noise figure Af = 200Hz F Facteur de bruit Iq =0,2mA Voe= V BC 109 2 4 dB Rg = 2kQ 30 Hz.....15 kHz [THERMAL CHARACTERISTICS *ARACTERISTIQUES THERMIQUES lunction-ambient thermal resistance 2sistance thermique (jonction-ambiante} Rin (j-a) 500 c lunction-case thermal resistance ?sistance thermique (jonction-boitier) Ren(j-c) 175 ecw FThe transistor BC 107 is grouped in two classes of DC gain : A B Le transistor BC 107 est subdivis en deux classes da gain statique : A - B "The transistor BC 108 is grouped in three classes of DC gain: A B C Le transistor BC 108 est subdivis an trois classes de gain statique:AB-C The transisto BC 109 is grouped in two classes of DC gain :B C Le transistor BC 109 est subdivis en deux classes de gain statique: B-C 3/10 299BC 107, BC 108, BC 109 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES le 4 'c 12 (mA) Tomb = 28 C (mA) 100 80 60 40 20 0 0 04 08 12 16 2 Vogl o 4 8 12 16 20) Voge t 1 c c 12 (mA) Tamb=25 C (ma) 0 2 4 6B 10 Vg v) 0 10 20 30 40 80 Vy 4/10 300BC 107, BC 108, BC 109 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES le 120 {mA} (mA) 100 80 40 20 0 02 04 06 08 1 Vp) 0 02 04 06 O8 1 Vee) le 12 (mA} hoe 3 (norm.} 10 2,4 2,1 18 1,5 1,2 0,9 0,8 0,3 0 2 468, 2 468, 2 4868 0 8 16 24) =632 40g ua) 10 10 10! 102 Ig (ma) 6/10 301BC 107, BC 108, BC 109 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES VBEsat 1 (mv} (v) 200 0,8 150 0,6 100 0,4 50 0,2 9 2 468 2 468 2 468 O72 4685 2 468, 2 4685 107 10 10! 102 10 10 10 10 le (mA) le (mA) ogo 10? (nA) 2 102 5 2 10! 5 2 10 5 2 101 0 40 80 120 160-200 Ta, (C) 6/10 302BC 107, BC 108, BC 109 DYNAMIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES fr 500 Comm 2 (MHz) (pF) (norm.) 4.8 400 1,6 1,4 300 200 0,8 0,6 100 0,4 0,2 0 0 2 468,2 468 ,2 468 10" 10 10! 107 Ig (ma) Mb 9 (pF) {norm.) 4 1,6 Ie #9 f = 10,7 MHz 1,4 = Tomb = 25C 1 1 0,8 0,6 0,4 0,2 Qo 0 Vego (V) Vepo ) 710 303BC 107, BC 108, BC 109 DYNAMIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES F 42 (dB) (dB le = mA = 2k2 i = 1kHz Sf == 200 MHz T mb = 25C Vee V) f (Hz) 8/10 304BC 107, BC 108, BC 109 DYNAMIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES hg 10! 10 10" Ig{ma) Hate Nate 1071 10 10! . 107 v.-tv) CE 9/10 305BC 107 , BC 108 , BC 109 DYNAMIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES le 104 'c 104 Wa) Wa) 10 68 2 #468 2 468 2 #4 68 102 2 46 403 246 104 264 10 102 10 10* 10 Rg (2) Rig is 10/10 306