NPN SILICON TRANSISTOR, EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR NPN SILICIUM, PLANAR EPITAXIAL 2N 3866 - VHF-UHF amplifiers and oscillators Ampilificateurs ou oscilleteurs VHF-UHF Maximum power dissipation Dissipation de puissance maximale Prot (w) 3 0 BO 100 180 Tagg (C VcEO 30V Veesat(100/200mA) 9 1V max. fr 700 MHz typ. Case TO-39 See outline drawing CB-7 on last pages Boitier Voir dessin cot CB-7 dernires pages s: B Bottom view Vue de dessous 0,99. Collector is connected to case Le collecteur est reli au boftier Weight : Masse ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) Tamb =* 25 C (Untess otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION (Saut indications contraires} Fontion solkcteur bass VcBo 55 Vv Foren conecmesawottonr Vceo 30 Vv Fansion concrsursimetienr Reg < 102 VCER 55 v Fonuion trientour-base VeBo 3,5 Vv Gountcolucmur Ic 0,4 A Dieepation ob putseance Tease = 25C Prot 3,5 w Tempusorure de jonetion max. 7j 200 c Storage temperature min. T 65 C Temprature de stockage max, stg +200 THOMSON-CSE 76-28 1/4 ue novene 259 2N 3866 STATIC CHARACTERISTICS Tamb = 25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES STATIQUES (Sauf indications contraires) Test conditions j Conditions de mesure Min. Typ. Max. . Veg = 28V Collector-emitter cut-off current CE | Courant rsiduel collecteur-metteur Ip =O CEO 20 HA | = 100 pA Coliector-base breakdown voltage c Vv Tension de claquage collecteur-base lg =0 (BR)CBO 55 Vv Collector-emitter breakdown voltage Ig =5mA ViBRICER 55 Vv Tension de claquage collecteur-metteur Ree = 102 Collector-emitter breakdown voltage | =5mA Vv Tension de claquage coliecteur-metteur is =0 ({BR)CEO 30 v l = 100 vA Emitter-base breakdown voitage E v Tension de claquage metteur-bese le =0 (BR)EBO 3.5 Vv Vee =5V CE Ig =50mA 10 100 Static forward current transfer ratio h Valeur statique du rapport de transfert 21E direct du courant VcE =5V Iq =360mA Coliector-emitter saturation voltage Ig = 100mA VoeEsat 1 Vv Tension de saturation collecteur-6metteur Ip = 20mA DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) Veg = 15V Transition frequency Io =25mA fy 700 MHz Frquence de transition f = 100 MHz Vea =28V Output capacitance = Cc Capacit de sortie & - ; MHz 22e 3 pF THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-ambient thermal resistance Rupe: Rsistance thermique (jonction-ambiante; thij-a) 200 C/W Junction-case thermal resistance Rive: Rsistance thermique (jonction-boitier} thij-c) 35 c/iw 24 260 2N 3866 HF CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES HF 1 f Voce Po Pi c (dy (MHz) (Vv) w) (w) mA) min. 2N 3866 100 28 18 0,05 107 60 2N 3866 250 28 15 0,1 107 50 2N 3866 400 28 1 0,1 79 45 TEST CIRCUIT CIRCUIT DE MESURE C3 L6 { hI 1_ +0 c2 L1 L4 cae R, =50 2 i - t Rg = 50 2 L2 2:3 3 ogg t C1 ] R1 cs : | O oe C7 R2 C1 =C2 = C3 = 4to 29 pF, air trimmer C4 = 4 to 14 pf, air trimmer C5 = 1 nF, feed through C6 = 12 pF C7 = 12 nF R1=562 R2= 100 L1 = 2 turns copper wire (1 mm) ; int. diam. 6 mm ; winding pitch 3 mm L2 = Ferroxcube choke coil ; Z ( at f = 250 MHz) = 450 Q L3 = L4 = 6 turns enamelled copper wire (0,5 mm) ; int. diam. 3,5 mm (100 nH) L5 = 2 turns copper wire (1 mm) ; int. diam. 7mm ; winding pitch 2,5 mm ; leads 2 x 15 mm. Cl =C2=C3 =4 4 29 pF, trimmer 4 air C4 =48 14 pF, trimmer & alr C5 = 1 nF, coridensateur de traverse C6=12pF C7 = 12 nF RI=5,62 R2= 102 Lt = 2 spires fil de cuivre 1mm; Pintrieur 6 mm ; pas 3mm L2= bobine de choc Ferroxcube ; Z = 450 Q/f = 250 MHz L3= L4=6 spires de fil de cuivre maill de 0,6 mm ; intrieur 3,5 mm (100 nH) LS= 2 spires fil de cuivre (1 mm) ; Pintrieur 7 mm ; pas 2,5 mm ; deux connexions de 15 mm. 3/4 261 2N 3866 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES (Ww) 05 0 200 400 600 f(MHz) 0 10 20 30 Vop!V) 0 100 200 Igima) 4/4 262