
Bridge Diode
■外観図 OUTLINE
118 (J534)
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
'PSEFUBJMTPGPVUMJOFEJNFOTJPOTSFGFSUPPVSXFCTJUFPSUIF4FNJDPOEVDUPS
4IPSU'PSN$BUBMPH"TGPSUIFNBSLJOHSFGFSUPUIFTQFDJàDBUJPOi.BSLJOH
5FSNJOBM$POOFDUJPOu
特長
SQIP 型
Square In-line Package
S25VB□
800V 25A
• 耐湿性に優れ高信頼性
• 高耐熱性
•低IR
• ファストン端子
•High-Reliability
•HeatResistance
•LowIR
•Fastonterminal
Feature
Package:S25VB Unit:mm
Weight:21g(typ.)
ロット記 号(例)
Datecode
級表示(例)
Class
品名
TypeNo.
Fastontab#250eq.
+
①
③
②
④
②
④
①
③
S25VB
60
16
+
〜
〜
−
32
32
23
11
■定格表 RATINGS
S25VB20 S25VB60 S25VB80 単位
Unit
−40〜150
150
25
6
400
800
2
2
MAX1.05
MAX 10
MAX 1.5
℃
℃
V
A
A
A2s
kV
N・m
V
μA
℃/W
●絶対最大定格Absolute Maximum Ratings(指定のない場合Tc = 25℃/unlessotherwisespeci
項 目
Item
記号
Symbol 条 件
Conditions
品 名
TypeNo.
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
電流二乗時間積
Current Squared Time
絶縁耐圧
Dielectric Strength
締め付けトルク
Mounting Torque
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
熱抵抗
Thermal Resistance
Tstg
Tj
VRM
IO
IFSM
I2t
Vdis
TOR
VF
IR
θjc
フィン付き
With heatsink
パルス測定,1素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
パルス測定,1素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
1素子当たりの規格値
per diode
接合部・ケース間
Junction to Case
IF=12.5A,
VR=VRM,
●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics(指定のない場合Tc = 25℃/unlessotherwisespeci
50Hz正弦波,抵抗負荷
50Hz sine wave,
Resistance load
Tc =85℃
フィンなし
Without heatsink Ta =40℃
50Hz正弦波,非繰り返し1サイクルせん頭値,Tj = 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj= 25℃
1ms≦t<10ms,Tj = 25℃,
一括端子・ケース間,AC1分間印加
Terminals to Case, AC 1 minute
(推奨値:1N・m)
(Recommended torque : 1 N・m)
200 800600
)
)