- 250 - f| me A E WB (Ta=25C) & BW a % PE (Ta=25C) tl Vos [Vas | Ip | Pp less Ipss Vas(th) Rps(on) Ip(on) gfs Ciss | Coss | Crss H a t J or Vas=0 4) Yoo * /CH |* /CH] (max) - (max) min |max (max) (min) -> (nin) (typ) | (typ) | (#typ) fa Vas Vos Ip |*typ |Ves | Ip | #typ |Vas | #typ | Ip | (max) | (max) | (max) | Vos wy (vv) | YET mad YF) 1) FO) Gm) FQ) FH) | (AY AL) FS) AD] (FD | GPP) | GF) |) (RF9232 IR Py -50) +20 -15 74] +500/+20; -250| -50)-2.0}-4.0/-0.25] 0.21) -10} -9.3 -15) -10 3.1] 9.0} 900%} 570%! 140#) -25]TO-220AB IRF 48 IR N 60; +20 50; 190) +100) +20 100) 60 2 41250 40.018) 10 43 27 43} 2400%; 1300#] 190* 251T0-220AB (RFO34 IR N 60) +20 30 90) +100) +20 250} 60] 2.0] 4.0) 0.25) 0.05) 10 18 30; 10 9.3 18) 1300*| 650%! 100% 25|T0-204AE tRFO35 IR N 60/ +20 25 90; 100; +20 250; 60) 2.0) 4.0) 0.25) 0.07! 10 18 25; 10 9.3 18] 1300#) 650%) 100% 25/T0-204AE IRFQ44 IR N 0| +20 30; 150) +100} +20 250) 60} 2.0) 4.0) 0.25/0.028) 10 33 30} 10 15 33) 2500#) 1200#) 310% 25|TO-204AE IRFO45 IR N 60) 420 30; 150) +100)+20 250) 60] 2.0) 4.0) 0.25)0.035) 10 33 30] 10 18 33] 2500%| 1200%| 310* 25|T0-204AE IRF 120 IR N} 100) 420 8.0 40] +100) +20 250) 100) 2.0) 4.0) 0.25) 0.3) 10 5.6 9.2) 10 1.5 5.6 600) 130% 36 25|T0-3 IRF121 IR N 60) 20 8.0 40] +100) +20 250} 80] 2.0) 4.0] 0.25] 0.3; 10 .6 9.2) 10 1.5 5.6 600; 130% 36 25|T0-3 IRF t22 IR N} 100) 420 7.0 40) +100/+20 250| 100] 2.0) 4.0; 0.25! 0.4) 10 5.6 8.0) 10 15 5.6 600} 130# 36% 25|T0-3 IRF123 IR N 60) 20 7.0 40} +100) +20 250] 80} 2.0] 4.0) 0.25; 0.4] 10 5.6 8.0; 10 1.5 5.6 600} 130% 36% 25} T0-3 (RF130 IR N] 100;+20 14 76) 100) +20 250) 100} 2.0) 4.0] 0.25] 0.18; 10 8.3 14; 10 4.0 8.3 800; 240+ 44% 25|T0-3 (RFI34 IR N 60; +20 14 75) +100) +20 250! 80} 2.0) 4.0) 0.25) 0.18) 10 8.3 14) 10 4.0 8.3 800) 240+ 44% 25) T0-3 (RF132 IR Ni 100} +20 12 75) +4100] +20 250) 100) 2.0) 4.0; 0.25} 0.25) 10 8.3 12; 10 4.0 8.3 800) 240% 44% 25 470-3 IRF133 IR N 60} +20 12 75| +100) +20 250) 80) 2.0) 4.0) 0.25] 0.25) 10 8.3 12) 10 4.0 8.3 800) 240% 44% 25|T0-3 IRF 140 IR Ni 100] +20 27| 125) +100) +20 250} 100] 2.0) 4.0] 0.25)0.085| 10 17 28) 10 6.0 17} 1600] S00* 90% 25|T0-204AE IRFI41 IR N 60); +20 27; 125] 100} +20 250) 80} 2.0) 4.0) 0.25/0.085) 10 17 28) 10 6.0 17] 1600) 500+ 90% 25|TO-204AE IRF 142 IR Ny 100;+20 24] 125] 400) 420 250} 100) 2.0) 4.0} 0.25) 0.11) 10 17 25]; 10 6.0 17} 1600} 500% 90* 25|TO-204AE IRF143 IR N 60| +20 24] 125] +00; +20 250} 80; 2.0) 4.0} 0.25) 0.11; 10 1? 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TO-204AA IRF 431 MOT Nl 450] +20 4.5 15 2 4 1.5 2.5 2.5 TO-204AA IRF432 MOT N] 500) +20 4.0 15 2 4 2.0 2.5 2.5 TO-204AA IRF 433 MOT Ni 450) 420 4.0 16 2 4 2.0 2.5 2.5 TO-204AA IRF440 MOT N] $00] +20 8.0; 125) +100) +20 250) 500 2 4| 0.251 0.85) 10 4 8) 10 4 4! 1600 350 150 25|TO-204AA tRF450 MOT Nt 00;+20 13} 150] +100} +20 250) 500 2 4) 0.25) 0.4) 10 7 13) 10 7} 3000 600 200 25|T0-204AA FranvO * PCHhENCHOMABA > TOSCLERG.~ 292 - FR A tH (Ta=25C) z R ay 55 te (Ta=25C) +| Vos [Vas | Ip | Pp Iss Ipss Ves(th) [Vos | Rps(on) Ip (on) gfs Ciss | Coss | Crss _{_ 4 un at & or \cs Vas=0 #] Yoo # /CH |* /CH| (max) (max) min |max (max) (min) (min) (#typ) | (etyp) | (#typ) a Vas Vps Ip |#typ [Vos | Ip | *typ os ttyp | Ip | (max) | (max) | (max) | Vos wv) QV) | (A) | HYP Gad) FY) J CAD 1) FY) fm) CQ) FAD | AY ED |S) (A) | (pF) | (PF) | (pF) | WW) IRF 130 SAMSUNG Ny} 100 0.16 14 TO-3 (RF 131 SAMSUNG N 80 : 0.16 14 TO-3 tRF132 SAMSUNG N] 100 0. 23 12 TO-3 RF 133 SAMSUNG N 80 0. 23 12 TO-3 IRF 140 SAMSUNG Ni 100 0.077 28 TO-3 {RFV4) SAMSUNG N 80 . 0.077 28 TO-3 IRF142 SAMSUNG Ny} 100 0.1 25 T0-3 IRF 143 SAMSUNG N 80 0.1 25 TO-3 IRF 150 SAMSUNG N} 100 0.055 40 TO-3 IRF151 SAMSUNG N 80 0.055 40 TO-3 IRF192 SAMSUNG N} 100 0.08 34 TO-3 [RF153 SAMSUNG N 80 0.08 34 TO-3 (RF220 SAMSUNG N] 200 1.8 5 TO-3 IRF221 SAMSUNG N} 150 1.8 5 TO-3 (RF222 SAMSUNG Ny 200 L2 4 T0-3 IRF223 SAMSUNG Ny 150 1.2 4 T0-3 IRF230 SAMSUNG N} 200 0.4 9 TO-3 IRF231 SAMSUNG N] 150 0.4 9 TO-3 IRF232 SAMSUNG N} 200 0.6 8 TO-3 [RF233 SAMSUNG N} 150 0.6 8 TO-3 IRF240 SAMSUNG N} 200 0.1 18 TO-3 IRF241 SAMSUNG N} 150 0. 18 18 TO-3 IRF242 SAMSUNG Ny} 200 0. 22 16 T0-3 IRF243 SAMSUNG N} 150 0. 22 16 TO-3 IRF250 SAMSUNG Nj 200 0.085 30 TO-3 IRF251 SAMSUNG Ny} 150 0.085 30 TO-3 IRF252 SAMSUNG Ni 200 0.12 25 TO-3 IRF 253 SAMSUNG N} 150 0.12 25 TO-3 (RF254 SAMSUNG N}] 250 0.14 23 TO-3 IRF255 SAMSUNG N] 250 0.17 21 TO-3 Fe AVO UP CHENCHOMAMA s TOSZCLERT- 319 - x B jf] S&B A (ae25C) e #% YE (Ta=25C) Ros (on) Ip(on} gfs Ciss ri Vos |Vos | I> | Pb lass Ipss Vas(th) HH FB 2 & a @ or Vas=0 4) Ype * /CH |* /CH| (max) (max) min |max ({nax) (min) (min) (#typ) a xs Vos Ip {#typ [Vos [p | #typ {Vas | #typ | Ip {| (max) | (max) Vos wy 1) ) (A) WW) | (nd) FV) PCa ad 1) 1) FW) | ma) FQ) |). AD (A) 1) | GS) (A) (pF) | (pF) vy) IRF130 SILICONIX 100] +20 U4 75} +100) +20 250/ 100) 2.0 4.0, 1 0. 18| 10; 8.0 14; 10 4.0 [ 800 25) TO-204AA (RFA31 SILICONIX 60|+20/ 14] 75] +toof+20| 250) 60] 2.0) 4.0 [eo] 20] 8.6 iz; 10 4.0 800 500 i130 25 | TO-204AA 8.0 12} 10 4.0 800 500 150 25|TO-204AA 15 27; 10 6.0 15] 1600 800 300] 25; TO-204AE 15 27; 10 6.0 15; 1600 800 300 25|T0-204AE 8 0.18) 10 8.0 14; 10 4.0 8 800 500 150 25) TO-204AA 8 8 |__ 7] IRFI32 SILICONIX +20] 12/75] +100/+20/ 250 (RE133 SILICONIX |N] 60|+20/ 12] 75] 100] +20| 250 IRF140 SILICONIX [N{ 100/420] 27/ 125{ +100)/+20/ 250 (RFI sizicontx |x] 60/20] 27] 125| +100} +20] 250 IRF Taz SILICONIK [x] 100)20] 24] 128| 100/20) 250 15] 24] 10] 6.0) 15) 1600/ 800] 300) _25| To-z04ae IRF 143 SILICONIX |N] 60|+20| 24] 125] 100]+201 250 i 1s] _24f 10/60] 15| 1600] 800/300] 25 | T0-204ak iRFt5O SILICONIX EZ 40] 150{ +100] +20| 250 1 20] 40] 101 3.0) 20, 3000] 1500] soo] 25 | To-z0aae seis siLtoontx [x{ 60/20[ a0! 150] +100) +20) 250/40! 2.0] 4.0] 1]0.058/ 10] 20] 40] 10] 90/20] 3000/ 1500| | $00| 25) T0-204AE IRF 152 siLiconix [w] 100/20} 33] 150} +100/+20| 250/ 100| 2.0/ 4.0/ 1/ 0.08] 10/ 20/33] tol 9.0) 20) 3000} 1500] 00) _25|T0-204ae IRF183__-(SILICONIx [| 60/20) 33) 180 +100/+20| 250] 60; 2.0/ 4.0] 1[ 0.08] 10{ 20| 33] 10| 9.0; 20| 3000) 1500] $00] 25) 70-204aE 1RF220 SiLiconix nN] 200/20} $0} 40) +100] +20 4.0] 1) 0.8) 40] 25] 5.0] 10) 1.3) 2.5) 600] 300) 80/25 |To-zo4aa RF221 SiLiconix |N} iso|+20| 5.0] 40} +i00/+20/ 250! 150 2.0| 4.0! | 0.8! 10] 25) 5.0] 10| 1.3} 26) 600| 300} 80/ _25|10-2o4aa RF222 SiLtoonix |x] 200)+20] 4.0} 40] +100/+20] 250] 200] 2.0] 4.0/ 1] 1.2 10| 25) 40! to is! 25] 600] 300/80] 25 |70-204aa (RF229 SILICONIX [x] 150/20) 4.0] 40 150/ 2.0) 4.0] 1) 12) 10/ 25[ 4.0] 10) 1.3; 25; 600] 300} 80, | 25{ro-204aa | (RF230 SILACONIX [NJ 200/+20| 9.0/ 75 [200] 2.0] 40] if 0.4] 10] 5.0) 9.0] 10] 3.0} 5.0) 800] 450| 150/25] To-204aa iRF231 SILIOONIX |X] 150|#20] 9.0] 75 150] 2.0] 4.0) 1] 0.4] 10) 8.0] 9.0; 10] 3.0) 5.0] 800{ 450] 180/ _25(T0~204aa RF 232 SILICONIX [N] 200/420] 8.0, 75 2oo| 2.0] 4.0) i] 0.6) 10] 5.0] 8.0) 10) 3.0] 5.0 450) 150| 25] T0-204AA 1RF239 STLiconix [Nf 150/20} 8.0] 75{ +100/ +20 150] 2.0/4.0, 1{ o.6f 10/ 5.0( 8.0) 10{ 3.0/ 5.0) 800/450] 150/25 /70~204aa RF240 siLicontx [N| 200]+20/ 18 125[ +100/+20] 250] 200] 2.0| 4.0) | 0.18/ 10) 10/ 18] 10] 6.0] 10] 1600) + 750| 300/254 70~204AE iRF241 siLtconix [x] 150/+20/ 18[ 125{ +100[+20[ 250/ 150[ 2.0/ 4.0/ 1/ 0.18/ 10/ 10] 18| 10f 6.0) 10 t600/ 750 300) +25) T0-zodaz (RF242 SiLIcoNix |N +190/+20f 250) 200f 2.0/4.0 1[ 0.22/ 10f 10{ 16| 10| 6.01 i0/ 1800] 750, 300 __-25|T0~204ak (RF243 SILICONIX IN 100}+20) 250/ 150| 2.0] 4.0 i/ 0.22) 10] 6.4 1600; 750/ 300/25 | T0~z04aB (R250 |SILICONIX |N 100/20] 250/ 200] 2.0) 40) 1 8.0 3000| 1200/ 300| 25] T0~204ae [RF251 SILICONIX {N 100/420) 250/ 150} 2.0| 4.0! 1 8.0 3000! 1200] 00] 25/T0~2oaaz | (RF252 SILICONIX +100/+20/ 250/ 200] 2.0) 4.0] 1 3000] 1200] $00/ 28|T0~204a8 RF253 siLtconix [x] 160[-+20] 25] 150/ +i00/+20] 250] 150| 2.0] 40] 1 3000] 1200) 300|25[To-2o4ae | (RF320 SiLiconix [Nf 400/20] 3.0| 40[ 100/20] 2501 4o0/ 2.0] 4.0/1 .5| 600) 200] 40}_25/T0~204a4 (RFS21 siLicontx |x| 350/420] 3.0) 40] +t00/ +20! 250/350; 20, 4.0) 1 -5| 600} 2001 40 25|T0-zoaaa FHRVO *ILPCHENCHOMARA > TVACLERTS