ce <i> CNY 36 - CNY 37 Aufbau Construction Anwendungen: Applications: Optoelektronischer Gabelkoppler Photon coupled interrupter modules GaAs Lumineszenzdiode Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Fototransistor Emitter: Detektor: Optoelektronische Abtast- und Schalteinrichtung z. B. fiir Faromaskenerkennung, Codierscheibenabtastung usw. Opto-electronic scanning and switching devices i. e., colour brand coded recep- tion, coded disk scanning etc. (opto-electronic encoder assemblies for trans- missive sensing) Besondere Merkmale: @ Kompakte Bauform @ CNY 36 fir Leiterplattenmontage @ CNY 37 mit Befestigungsflanschen @ Kein Justieraufwand @ Kontaktloser Schalter, dadurch hohe Zuverlassigkeit @ Kunststoff-Gehause Voridufige technische Daten - Preliminary specifications Abmessungen in mm Dimensions in mm LICHTEMPFINDLICHE ZONE c2 UM DIESEN SCHNITTPUNKT RADIATION SENSITIVE ZONE 02 41 THE CROSSOVER m0 fo ed aie ee / 1 i : _|/ L | | | 102 78 rhe , | | i { _lLos cast 4 76 be 55! 012. 54i0 } T + | DB | - ' +> 64 E + | CNY 36 A Cc Tea | | lew D ! | | | | Lott op fp K E B 2/V.2.574/0475A1 Features: @ Compact construction @ CNY 36 for printed circuit board construction @ CNY 37 with mounting flange @ No selting efforts @ No contact switching, therefore, high reliability @ Plastic case LICHTEMPFINDLICHE ZONE 1:2 UM O!ESEN SCHNITTPUNKT RADEON SENSHTIEL ZONE Oe at FUL CROSSOUER - 12.6 - hk. 308" - J 131595 ose? Kunststoffgehause Plastic case 243 CNY 36 - CNY 37 Absolute Grenzdaten Absolute maximum ratings Gesamtverlustleistung Total power dissipation lamb = 25C Prot 250 mw Lagerungstemperaturbereich stg -25 ... +85 C Storage temperature range Maximal zulassige L6ttemperatur Soldering temperature, maximal t=3s Abstand vom Gehause = 2 mm tog 245 C Distance to the case Sender Emitter Sperrspannung UR 5 Vv Reverse voitage DurchlaBstrom Ip 60 mA Forward current StoBdurchlaBstrom Forward surge current p 7 = 0,01, ty <0,1 ms TESM 1 A Verlustieistung Power dissipation lamb = 28C Py 100 mw Sperrschichttemperatur qj 85 i @ Junction temperature Empfanger Detector Kollektor-Emitter-Sperrspannung UcEO 32 Vv Breakdown voltage, collector-emitter Emitter-Kollektor-Sperrspannung Veco 5 Vv Emitter-collector voltage Koliektorstrom lo 100 mA Collector current Verlustleistung Power dissipation lamb = 25C Py 150 mW Sperrschichttemperatur fj 85 C Junction temperature Elektrische Kenngrd8en Min. Typ. Max. Electrical characteristics lamb = 25C Kollektorstrom Collector current UcE = 10 V, Jp = 20 mA Io) 0,2 0,8 mA Kollektor-Dunkelstrom Collector dark current UcE = 10 V, Jp = 20 mA, Eg = 0, geschlossene Blende / closed aperture Tog 5 0,1 pA *) AQL=0,65%; ') Streugrenzen: 0,03... 1pA Scattering limits: 244 CNY 36 - CNY 37 Kollektor-Emitter-Sattigungsspannung Saturation voltage, collector-emitter Ig = 25 pA, Ip = 20 mA Sender Emitter DurchlaBspannung Forward voltage ip=20mA Durchbruchspannung Breakdown voltage TR= 100 pA Empfanger Detector Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung Collector-emitter breakdown voltage Io =1mA Kollektor-Dunkelstrom Collector dark current Ucge = 10V, Ip = 0, Ey = 0 Schaltzeiten Switching characteristics Us =10V, Io =2 mA, Rt = 100, siehe MeBschaltung see test circuit Verzgerungszeit Delay time Anstiegszeit Rise time Einschaltzeit Turn-on time Speicherzeit Storage time Abfallzeit Fall time Ausschaltzeit Turn-off time gz500 r mT PL =0.05 | ==) p= 504s ae Kanal lt Channel f 500 100 Q MeBschaltung fiir: Test circuit for: fr fps fon: fg> f loft *) AQL = 0,65% Min. Typ. UceEsat 4) Ue*) 1,2 Yer) S UprRyceo*) 32 Io0*) tg 1,8 te 2,5 fon 4,3 tg 0,3 tt 3,3 loft 3.6 Oo 10 te igs 2mA, as durch Eingangsamplitude einstellen | adjusted through input amplitude S| Oscilloscope TO RL 2 TMQ e Cy 5 20pF Kanal Il v hannel Uf 77 2127 Max. 0,4 Vv 1,5 Vv 100 nA pHs Ss ps ps Us us 245 CNY 36 - CNY 37 t 77 2126 t I Tearel | : crel 1,0 1,0 0,8 Strougrenzen O, 9 Scatiering limits 0,6 0,8 Uge = 10 0,4 ip2= 20 mA Je I, rel * 1o Utamb = 25 C ) 0,2 0,7 Oo oO 0 40 80 C 1 lamb { 172007 ' le k famb 25 C 3 mA 0,1 0,05 2 0,01 0,005 oO 0,001 1 246 10 4 77.2121 5mm he 77 2125 50mA