SFH 4281
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse
GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package
2000-01-01 1 OPTO SEMICONDUCTORS
Wesentliche Merkmale
• GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
• Gute Linearität (Ιe = f[IF]) bei hohen Strömen
• Gleichstrom- (mit Modulation) oder
Impulsbetrieb möglich
• Hohe Zuverlässigkeit
• Hohe Impulsbelastbarkeit
• Oberflächenmontage geeignet
• Gegurtet lieferbar
Anwendungen
• Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb, Lochstreifenleser
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
• Automobiltechnik
• Sensorik
• Alarm- und Sicherungssysteme
• IR-Freiraumübertragung
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code Gehäuse
Package
SFH 4281 Q62702-P5000 Kathodenkennzeichnung: abgesetzte Ecke
cathode marking: bevelled edge
TOPLED Reverse Gullwing
Features
• Very highly efficient GaAIAs-LED
• Good Linearity (Ιe = f[IF]) at high currents
• DC (with modulation) or pulsed operations are
possible
• High reliability
• High pulse handling capability
• Suitable for surface mounting (SMT)
• Available on tape and reel
Applications
• Miniature photointerrupters
• Industrial electronics
• For drive and control circuits
• Automotive technology
• Sensor technology
• Alarm and safety equipment
• IR free air transmission
2000-01-01 2 OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 4281
Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 40 …+ 100 °C
Sperrspannung
Reverse voltage VR5V
Durchlaßstrom
Forward current IF100 mA
Stoßstrom, τ=10 µs, D = 0
Surge current IFSM 2.5 A
Verlustleistung
Power dissipation Ptot 180 mW
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei
Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm2
Thermal resistance junction - ambient mounted
on PC-board (FR4), padsize 16 mm2 each
Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei
Montage auf Metall-Block
Thermal resistance junction - soldering point,
mounted on metal block
RthJA
RthJC
450
≈200
K/W
K/W
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
IF = 100 mA, tp = 20 ms
λpeak 880 nm
Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax
Spectral bandwidth at 50% of Imax
IF= 100 mA
∆λ 80 nm
Abstrahlwinkel
Half angle ϕ±60 Grad
deg.
Aktive Chipfläche
Active chip area A0.09 mm2
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area L×B
L×W0.3 ×0.3 mm
SFH 4281
2000-01-01 3 OPTO SEMICONDUCTORS
Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ιe from 10% to 90% and from
90% to 10%, IF = 100 mA, RL = 50 Ω
tr,tf0.5 µs
Kapazität,
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Co15 pF
Durchlaßspannung,
Forward voltage
IF = 100 mA, tp = 20 ms
IF = 1 A, tp = 100 µsVF
VF
1.5 (≤ 1.8)
3.0 (≤ 3.8) V
V
Sperrstrom,
Reverse current
VR = 5 V
IR0.01 (≤ 1) µA
Gesamtstrahlungsfluß,
Total radiant flux
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Φe23 mW
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
IF = 100 mA
Temperature coefficient of Ie or Φe,IF = 100 mA
TCI– 0.5 %/K
Temperaturkoeffizient von VF,IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF,IF = 100 mA TCV– 2 mV/K
Temperaturkoeffizient von λ,IF = 100 mA
Temperature coefficient of λ,IF = 100 mA TCλ+ 0.25 nm/K
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
2000-01-01 4 OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 4281
Strahlstärke Ie in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Radiant Intensity Ie in Axial Direction
at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Bezeichnung
Parameter Symbol Werte
Values Einheit
Unit
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Ie> 4 mW/sr
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 1 A, tp = 100 µs
Ie typ. 48 mW/sr
SFH 4281
2000-01-01 5 OPTO SEMICONDUCTORS
Relative Spectral Emission
Irel =f (λ)
Forward Current
IF=f(VF), single pulse, tp = 20 µs
Radiation Characteristics
Srel = f (ϕ)
0
750
Ι
rel
OHR00877
800 850 900 950 nm 1000
20
40
60
80
%
100
λ
10
OHR00881
F
V
-3
-2
10
-1
10
0
10
1
10
0123456V8
A
Ι
F
0
0.2
0.4
1.0
0.8
0.6
ϕ
1.0 0.8 0.6 0.4
0˚10˚20˚40˚ 30˚
OHL01660
50˚
60˚
70˚
80˚
90˚
100˚ 0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚
Radiant Intensity
Single pulse, tp = 20 µs
Permissible Pulse Handling
Capability IF=f(tp), TA = 25 °C
duty cycle D = Parameter
Ιe
Ιe100 mA = f(IF)
10
OHR00878
Ι
e
F
Ι
-3
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
0
10 10
1
10
2
10
4
mA
e
Ι
(100mA)
3
10
10
Ι
F
OHR00886
1
2
10
3
10
4
10
mA
-5
10 s
=
D
F
Ι
T
DC
0.005=
D
p
t
T
t
p
p
t
0.5
0.2
0.1
0.01
0.02
0.05
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
Max. Permissible Forward Current
IF=f (TA)
OHR00883
0
F
Ι
0
20
40
60
80
100
120
20 40 60 80 100 120
mA
˚C
T
A
R
thjA
= 450 K/W
2000-01-01 6 OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 4281
Maßzeichnung
Package Outlines
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified.
GPL06899
2.3
2.1
3.0
2.6
3.4
3.0
(2.4)
2.1
1.7
1.0
0.9
Cathode/Collector marking
0.3 max
min0.3
1.5
5.0
5.4
0.6
0.4
0...0.1
1.7
Cathode/
Collector
SFH 4281
2000-01-01 7 OPTO SEMICONDUCTORS
Zusätzliche Informationen über allgemeine Lötbedingungen erhalten Sie auf Anfrage.
For additional information on general soldering conditions please contact us.
Löthinweise
Soldering Conditions
Bauform
Types Tauch-, Schwall- und Schlepplötung
Dip, Wave and Drag Soldering Reflowlötung
Reflow Soldering
Lötbad-
temperatur
Temperature
of the
Soldering
Bath
Maximal
zulässige
Lötzeit
Max. Perm.
Soldering
Time
Abstand
Lötstelle –
Gehäuse
Distance
between
Solder Joint
and Case
Lötzonen-
temperatur
Temperature
of Soldering
Zone
Maximale
Durchlaufzeit
Max. Transit
Time
TOPLED RG 260 °C 10 s – 245 °C10s
