Semiconductor Group 1 1997-11-19
Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
NEU: in SMT
Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter
NEW: in SMT
BP 104 F
BP 104 FS
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
4.5
4.3
4.0
3.7 1.5
1.7
0.9
0.7
Photosensitive area Cathode lead
GEO06861
0.3
6.7
6.2
1.2
1.1
0...0.1
Chip position
0...5˚
0.2
0.1
1.1
0.9
2.20 mm x 2.20 mm
1.6
1.2
GEO06075
4.0
3.7 4.3
4.5
5.4
4.9
0.6
0.4
0.6
0.4
1.2
0.7
0.3
0.5
0.8
0.6
Cathode marking
0.6
0.8
1.9
2.2
3.0
3.5
0.6
0.4
Chip position
0.4
0.6
0.35
0.2
0 ... 5˚
5.08 mm
spacing
Approx. weight 0.1 g
1.2
Photosensitive area
2.20 mm x 2.20 mm
1.6
feo06075feo06861
BP 104 F
BP 104 FS
Semiconductor Group 2 1997-11-19
Wesentliche Merkmale
●Speziell geeignet für Anwendungen
bei 950 nm
●kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
●DIL-Plastikbauform mit hoher Packungs-
dichte
●BP 104 FS: geeignet für Vapor-Phase
Löten und IR-Reflow Löten
Anwendungen
●IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern, Gerätefernsteuerungen
●Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Grenzwerte
Maximum Ratings
Typ (*vorher)
Type (*formerly) Bestellnummer
Ordering Code
BP 104 F
(*BP 104 ) Q62702-P84
BP 104 FS Q62702-P1646
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 40 ... + 85 °C
Sperrspannung
Reverse voltage VR20 V
Verlustleistung, TA = 25 °CPtot 150 mW
Features
●Especially suitable for applications
of 950 nm
●Short switching time (typ. 20 ns)
●DIL plastic package with high packing
density
●BP 104 FS: suitable for vapor-phase and
IR-reflow soldering
Applications
●IR remote control of hi-fi and TV sets,
video tape recorders, dimmers, remote
controls of various equipment
●Photointerrupters
BP 104 F
BP 104 FS
Semiconductor Group 3 1997-11-19
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
VR = 5 V, Ee = 1 mW/cm2
S34 (≥ 25) µA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity λS max 950 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
λ780 ... 1100 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area A4.84 mm2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
L×B
L×W
2.20 ×2.20 mm ×mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
H0.5
0.3 (BP 104 FS) mm
Halbwinkel
Half angle ϕ±60 Grad
deg.
Dunkelstrom, VR = 10 V
Dark current IR2 (≤ 30) nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity Sλ0.70 A/W
Quantenausbeute
Quantum yield η0.90 Electrons
Photon
Leerlaufspannung, Ee = 0.5 mW/cm2
Open-circuit voltage VO330 (≥ 250) mV
Kurzschlußstrom, Ee = 0.5 mW/cm2
Short-circuit current ISC 17 µA
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL = 50 Ω; VR= 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
tr,tf20 ns
Durchlaßspannung, IF= 100 mA, E = 0
Forward voltage VF1.3 V
Kapazität, VR= 0 V, f= 1 MHz, E = 0
Capacitance C048 pF
BP 104 F
BP 104 FS
Semiconductor Group 4 1997-11-19
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO
TCV– 2.6 mV/K
Temperaturkoeffizient von ISC
Temperature coefficient of ISC
TCI0.18 %/K
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
VR= 10 V
NEP 3.6 ×10–14 W
√Hz
Nachweisgrenze, VR= 10 V
Detection limit D* 6.1 ×1012 cm · √Hz
W
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
BP 104 F
BP 104 FS
Semiconductor Group 5 1997-11-19
Relative spectral sensitivity
Srel =f (λ)
Dark current
IR=f (VR), E = 0
Photocurrent IP=f (Ee), VR = 5 V
Open-circuit voltage VO=f (Ee)
Capacitance
C=f (VR), f = 1 MHz, E = 0
Total power dissipation
Ptot =f (TA)
Dark current
IR=f (TA), VR= 10 V, E = 0
λ
OHF00368
0
rel
S
700
20
40
60
80
%
100
nm
800 900 1000 1200
OHFD1781
R
Ι
00
V
R
2000
4000
6000
pA
8000
10 20 30 V 40
E
OHF01056
e
0
10
P
Ι
-1
10 10
1
10
2
10
4
10
0
10
1
10
2
10
34
10
3
10
2
10
1
10
10
0
V
O
µ
AmV
Ι
P
V
O
2
W/cm
µ
V
OHF01778
R
-2
10
C
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
0
10
20
30
40
50
pF
60
T
OHF00958
A
0
tot
P
020 40 60 80 ˚C 100
mW
20
40
60
80
100
120
140
160
T
OHF00082
A
-1
10 0
R
Ι
10
0
10
1
10
2
10
3
nA
20 40 60 80 ˚C 100
Directional characteristics Srel =f (ϕ)
OHF01402
90
80
70
60
50
40 30 20 10
20 40 60 80 100 1200.40.60.81.0
ϕ
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
100 0
0
0
